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浅谈微电子的发展状况及未来 中科院半导体所：刘忠立 1. 微电子产业带动整机系统加速发展，市场越来越大 由于微电子学的不断进步，促使整机系统产品加速发展。 举例说明：从产品成 功到生产100万套的进程, 黑白电视经过18年， 闭路电视经过14年， 彩电经过10年， PC机经过6年， 手机经过4年， DVD经过2年。 周期愈来愈短,这是微电子产业加速发展的结果。 目前，市场对微电子产品的需求越来越广泛，需求量愈来愈大。手机、电话、电视广播、智能卡、家庭网络、汽车电子、办公自动化等等。 微电子的发展潜力不可估量。 从上世纪60年代－上世纪末 2.微电子中硅IC发展的Moores Law 仍起作用 每18个月集成规模翻一番，三年则为4倍。 以DRAM为代表，上世纪97年256M位，2012年达2G位。 集成规模扩大是以器件线宽减小作为基础的，与此同时，速度也得以提高。 举例：上世纪90年代初，intel 486CPU,主频为25MHz 目前， Inteli7 3770KCPU,主频达3.9GHz IC主流产品目前特征尺寸为90-65nm，并向45-32nm过渡，22nm已有试生产产品。 晶圆尺寸：目前8″虽占多数，但12″的工厂不断增加。 IC中CMOS仍为主流，但传统的CMOS面临挑战。 3．CMOS 继续发展面临的挑战及对策 CMOS继续发展面临几个限制： 1）理论限制 包括热限制；量子限制；及功耗限制。这三个限制决定了CMOS用于系统的特性。 热限制:由写一位（数据）需要的平均能量决定，它必须大于热起伏的平均能量KT，否则将产生误差。 对于CMOS写一位需要的能量~10－13J（106eV）,应当降低它，室温下写一位需要的能量最佳值~4×10－19J（2eV）,但仍比热起伏的平均能量KT（0.026eV）大100倍。 量子限制:读或写一位所需要的能量同电路的频率受不定原则限制，即 ,为了防止误差，电路不能工作在太接近最小的不定性乘积。 量子限制大约可由 给出。E为写一位数据需要的能量，f为时钟频率。当CMOS按比例连续下降到100nm以下时，E下降f上升,这个限制会起作用。 功耗限制:由功耗密度 决定。 n为器件密度，Pa为开关功率，典型值Pa＝0.1，最大可耐受功耗为100W/cm2。 2)技术限制 目前已有多家公司实现的（包括intel, infilien公司，所用的光刻是波长为193nm以下的光刻技术，对于90nmCMOS，一个六管CMOS SRAM存储单元，占面积为1?m2。近期已实现的生产技术是22nm CMOS, intel公司已研制出22nm CMOS的，其6管存储单元面积仅为0.57?m2。向0.065?m以下发展，要采用更为先进的光刻技术，同时器件结构也要发生变化。目前已实现的最先进的MOSFET是双栅MOS管，其栅长小于0.03?m。寻求新的器件结构，是突破CMOS技术极限的一条重要出路，新器件结构多半同SOI技术结合起来，充分利用SOI技术的优点。 3) 经济限制 CPU及ASIC的生产到100nm（0.1?m）以下，Moores Law还有潜力。但是DRAM的经济性在100nm左右会成问题，因为SOC的发展迫使DRAM必须降价，而其成本的降低却跟不上价格的降低。 RF及光功能的系统集成是减少系统价格的必由之路。混合功能（数/模）系统集成也是重要的发展方向。 4) 手机（移动通信）及WLAN等无线应用要求频率越来越高，同时要求价格必须具有竞争力。 例如手机，从第一代800MHz到第二代1.8GHz，到第三代2.4GHz→3GHz.，过去主要用GaAs，目前SiGe发展势态很好，下一步是SiGe同SOI结合，加数模混合，RF加处理电路形成SOC（收发多功能）。 TD-SCDMA基带芯片0.13?m，达700万门以上。 4. 微电子的发展趋势 1）进一步减小器件尺寸，扩大规模（增加电路复杂性），提高工作频率，降低功耗（低功耗电路）。 Intel 正计划发展45nm的CMOS电路。 2）由单一功能向SOC（A/D混合，RF＋处理）发展。 3）Smart power智能功率芯片。 4) 新器件及电路 a) RTD＋HEMT（HBT）的集成 利用RTD的本征双稳态性质加HEMT（HFET），构成的电路具有如下优点： 电路结构简单（完成同样功能，器件数少）;速度快；功耗低（功耗延时特性好） b）SiGe/SOI（SiGe/SOS） RF＋BiCMOS→SOC具有比体Si更好的特性。 c）宽