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本征半导体的导电机制 一、本征半导体和本征激发 空穴 本征半导体：纯净的、不含任何杂质和缺陷的半导体称为本征半导体。 对于半满带中电子，在外电场的作用下电子的运动改变了布里渊区内电子的分布情况和能量状态，电子吸收能量以后跃迁到未被电子占据的能级上去了，因此半满带中的电子在外电场的作用下可以参与导电。 受电子跃迁过程和能量最低原理制约，半导体中真正对导电有贡献的是那些导带底部附近的电子和价带顶部附近电子跃迁后留下的空态(等效为空穴)。 换言之，半导体中真正起作用的是那些能量状态位于能带极值附近的电子和空穴。 * 点的X状态和A点的状态完全相同，也就是由布里渊区一边运动出去的电子在另一边同时补充进来，因此电子的运动并不改变布里渊区内电子分布情况和能量状态，所以满带电子即使存在电场也不导电。 图 满带与半满带 空穴具有以下的特点： (1)带有与电子电荷量相等但符号相反的+q电荷； (2)空穴的浓度就是价带顶附近空态的浓度； (3)空穴的共有化运动速度就是价带顶附近空态中电子的共有化运动速度； (4)空穴的有效质量是一个正常数mp* ，它与价带顶附近空态的电子有效质量mn*大小相等，符号相反，即mp*＝－mn* 本征激发的特点：成对的产生导带电子和价带空穴。 本征半导体的导带电子和价带空穴两种荷载电流的粒子，统称为载流子。 一定温度下，本征半导体价带顶附近的电子受激跃迁到导带底附近，成为准自由电子，这就是本征激发。此时导带底电子和价带中空穴在外电场的作用下，它们都要参与导电。 *