霍爾效應實驗.DOC

霍爾效應實驗 (Hall Effect Experiment) 胡裕民 編寫 實驗目的： 藉由觀察變壓器中鐵芯隨磁場變化下的磁滯曲線，了解鐵磁性物質的磁滯性質。 驗證伯努利定律(Bernoulli’s Law)。 原理介紹： 1879年Hall研究一電流經過的導體在磁場下所受到的力量而發現了霍爾效應。考慮一p型半導體(如圖一所示)，電流I朝著正x軸方向流動(電洞向右移動)，外加磁場在正z軸方向。電流I可表示為： Eq.(1) 其中q是電荷、p是電洞的密度。而沿著x軸方向的電壓Vρ為 Eq.(2) 由Eq.(2)可將電阻率ρ表示 Eq.(3) 現在考慮在一均勻磁場強度B下電洞的運動，作用於電洞的力量若以向量來表示 Eq.(4) 由Eq.(4)可知此時移動的電洞受到磁場的作用會偏折向樣品底部，如圖一所示。 圖一. p型樣品中的霍爾效應。 由於在y軸方向上沒有電流的流動，因此Fy = 0。由Eq.(1)以及Eq.(4)我們可以得到y軸方向的電場為： Eq.(5) 而此y軸方向的電場產生的霍爾電壓VH： Eq.(6) 霍爾係數RH定義為： Eq.(7) 電流與淨電場的夾角θ定義為霍爾角度： Eq.(8) 由Eq.(7)可知 Eq.(9) 對於n型樣品，同樣可得 Eq.(10) 當電子與電洞都存在時，霍爾係數將表示為 Eq.(12) 其中b = μn/μp 為遷移率比值(mobility ratio)。 霍爾係數與載流子的密度成反比。通過測量霍爾係數，就可測得導體中載流子的密度。由於金屬的載流子密度都很大，故金屬的霍爾係數都很小。但半導體的霍爾係數比較大，因為半導體的載流子密度比較小。根據霍爾係數的正負，我們可以判斷載流子所帶電荷的符號。因此，測量半導體的霍爾係數是研究半導體性質的一種重要手段。除此之外，霍爾效應可用於測量磁場的感應強度，亦可用於測量電流，特別是測量較大的電流。 實驗裝置： 基本裝置參考圖：(圖一) 圖一 實驗儀器： 電源供應組(Power-CASSY，±10V、±0.1/0.3/1A)……………………………....× 1 感測器介面盒(Sensor-CASSY，5個數位輸入，±0.3/1/3/10/30/100V)……..….× 1 U型鑄鐵(U-core with yoke，高17cm，切面4×4 cm).………………………... × 1 鐵筴(Clamping device)…………………………………………………………... × 1 250圈線圈(Coil with 250 turns，5A)……………………………….…….………× 2 實驗數據分析軟體(CASSY Lab)…….……………………………………………× 1 黑色連接線(Connecting leads，100cm，black)……………………….………….× 4 基本架設步驟：(圖一) 先檢查實驗儀器有無數量短缺或損壞情事，有則報告實驗助教。 電源供應組(Power-CASSY)提供變壓器主要線圈的電流。感測器介面盒(Sensor-CASSY)B輸入端量測第二線圈的感應電壓U，並由此可計算磁通量Φ。 實驗步驟： 將 注意： 接線完成後請助教加以確認