gesb2te4纳米薄膜的原位透射电子显微学研究研究.pdfVIP

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2017-08-26 发布于湖北
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第３６卷第３期电子显微学报Ｖｏｌ.３６，Ｎｏ.３２０１７年６月ＪｏｕｒｎａｌｏｆＣｈｉｎｅｓｅＥｌｅｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙＳｏｃｉｅｔｙ２０１７-０６文章编号：１０００-６２８１（２０１７）０３-０２０２-０５ＧｅＳｂＴｅ纳米薄膜的原位透射电子显微学研究２４宋建祥，朱海音，刘显强∗ （北京工业大学固体微结构与性能研究所，北京１００１２４）摘要相变材料ＧｅＳｂＴｅ亚稳相中的局域结构长期以来一直是研究的热点，特别是亚稳相中Ｇｅ原子的分布对相变过程的进行具有重要作用。本文主要利用透射电子显微学，电子衍射技术和基于电子衍射技术的径向分布函数对不同时效温度时效过程中ＧｅＳｂＴｅ亚稳相的原子结构进行了深入研究。通过对径向分布函数的研究表明：２４２５０ ℃时效６０ｍｉｎ时ＧｅＳｂＴｅ亚稳相中几乎所有的Ｇｅ原子都位于四面体位置，局域形成类尖晶石结构；而时效温２４度为１５０ ℃、２００ ℃下分别时效６０ｍｉｎ时发现没有或者几乎没有Ｇｅ原子位于四面体位置，时效后的结构以岩盐矿结构为主，部分晶化为六方结构。关键词ＧｅＳｂＴｅ；时效温度；电子显微学；径向分布函数２４中图分类号：Ｏ４６９文献标识码：Ａｄｏｉ：１０.３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１０００-６２８１.２０１７.０３.００２［１］２０世纪６０年代末基于Ｏｖｓｈｉｎｓｋｙ发现硫属化ＧｅＳｂＴｅ的微观结构发生了六方结构到立方结构２４合物薄膜材料中存在的有序－无序存储现象后，相的转变，而非传统认为保持不变的六方结构。对于变存储器作为一种新型半导体存储器以其优异的长［１２］朱海音的观点，Ｏｓｉａｃ等的研究中同样发现了时寿命、小尺寸、低功耗、多级存储及其最重要的突发效过程六方结构向立方结构的转变，这就说明了这断电时不会改变材料的结构从而导致信息不会丢失一现象的出现并不是一个偶然现象。文章主要在文等优点［２－６］，在商业领域已经得到广泛的应用。献［１１］基础上对不同时效温度中ＧｅＳｂＴｅ的微观２４随着近几十年来ＧｅＳｂＴｅ相变存储领域的快速结构做进一步探究，明确在不同时效温度对发展，对ＧｅＳｂＴｅ微观结构与性能的研究也一直在ＧｅＳｂＴｅ微观结构的影响，这对ＧｅＳｂＴｅ相变存储２４进行，但时至今日对ＧｅＳｂＴｅ微观结构的研究也并材料的研究是一个很好补充，对推动相变材料多态［６］未形成统一的认识。从Ｙａｍａｄａ等利用Ｘ－射线存储的发展具有重要研究意义。粉末衍射技术对ＧｅＳｂＴｅ亚稳