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第38卷 增刊3 稀有金属材料与工程 V01．38，Suppl．3 AND 2009年 12月 RAREM匝TALMATERIALSENGINEERING December2009 SiC泡沫陶瓷材料的高温氧化行为 郑传伟，杨振明，田 冲，曹晓明，张劲松 (中科院金属研究所，辽宁沈阳110016) 摘要：采用可控熔渗反应烧结法制备具有宏观i维连通结构的SiC泡沫陶瓷，研究了SiC泡沫在不同温度的氧气中 的氧化行为。结果表明：在800-1300℃温度范围内，SiC泡沫陶瓷与块体SiC陶瓷类似，其氧化动力学曲线符合抛物 线规律，氧化过程受氧化剂在氧化膜中的扩散控制，氧化膜结晶后材料的氧化速率显著降低。 关键词：SiC；泡沫陶瓷；氧化；结晶 中图法分类号：TB333 文献标识码：A 文章编号：1002．185X(2009)$3—289—04 SiC泡沫陶瓷材料具有优异的物理和机械性能， 每次氧化20h，升降温速率均为5℃／min。氧化在以 在航空航天、汽车工业、医用电子、生物化学及其他 硅钼棒作加热元件的刚玉管式炉中进行。SiC泡沫放 许多领域有着广泛的应用前景【l’2】。迄今为止，制备 置在99．5％纯度的刚玉舟中。气氛为高纯干02，气体 SiC陶瓷的方法主要有无压烧结、热压烧结、反应烧 流速100mL／min，压力0．1MPa。管式炉和刚玉舟在 结、再结晶、化学气相沉积等。其中，反应烧结法以 实验前先在1500℃焙烧500h以降低杂质对氧化的 其烧结温度低、烧结时间短，易制备大尺寸、复杂形 影响。用感量为1mg的电子天平称量样品的质量。 状部件等优点而具有潜在的应用价值。本研究采用改 将试样在纯氧气氛中以10h的氧化时间在1200 进的反应烧结法——可控熔渗反应烧结法，克服了其 ℃循环氧化5次，然后通入氩气在1300℃退火处理 它SiC泡沫陶瓷制备方法的不足，来制备试验用SiC 泡沫材料。SiC块体氧化时表面生成致密的Si02保护循环氧化5次。氧化和退火的其他参数与前面相同。 膜，能在很高的温度下使用。然而SiC泡沫高温氧化 仍是其失效的一个重要因素。 尽管人们对SiC材料的高温氧化过程进行了很多 表征物相。 研究，但主要集中在SiC致密块【3“51、SiC单副5，61、SiC 2结果与讨论 粉末【7~9】等方面，对SiC泡沫材料的高温氧化研究较 2．1 少。本实验通过研究SiC泡沫陶瓷在800—130012的SiC泡沫的筋结构 高温氧化动力学和氧化膜形貌，分析了材料在该温度 采用可控熔渗反应烧结法制备的SiC泡沫陶瓷主 下的氧化机制以及氧化膜结晶对氧化行为的影响。 要由SiC和Si两相组成。添加的SiC颗粒通过后生成 的SiC相粘结而成，残余Si填充于SiC的间隙，起到 1 实验 粘结作用。这种SiC泡沫陶瓷具有三维连通的宏观孔 将市售SiC微粉(a．SiC)、氨酚醛树脂、乙醇和 Si粉按一定比例混合成浆料。以聚氨酯泡沫塑料为骨 心结构(图lb)，泡沫筋表面有一层未反应的残余Si 架，将其在浆料中多次浸渍挂浆，直至得到所需要的 挂载量。然后在100℃干燥，氩气中800℃热解，1800 还有从体相向外扩散的趋势。因此，这种特殊的筋结 ℃反应烧结，得到SiC泡沫陶瓷Bo]。SiC泡沫的孔径 构将对其氧化行为产生重要影响。 为2mm，骨架的体积分数为30％，样品外形尺寸为2．2 SiC泡沫氧化后的表面形貌 咖10mm×80mm。