微光显微镜热点侦测emmi,hot spot,pem.pdfVIP

微光顯微鏡原理介紹 Poton Emission Microscopy (PEM) EMission Microscope (EMMI) 此篇重點:  PEM 被證實為可用於確認出 IC 問題區域的方法  其基本原理是可偵測非常微小的光放射  其為簡單又便宜的方法可以指出Chip 上有問題的區域 (有問題區域並非一定為錯誤區域,有可能看到的是果而非因)  對點的定位能力比LC 好(liquid crystal, 此方法利用局部高溫找問題點)  了解電致發光(或翻為場致發光, electroluminescence)其物理原理可更合理(正 確)推論出可能的原因 內容:  基本原理  半導體的發光: 說明發光原理,什麼是F-PE,R-PE  P-N 階面二極體發光  矽的能階圖:說明何謂間接(indirect)半導體  順偏 逆偏說明:利用能階說明發光機制  F-PE / R-PE 頻譜分佈  設備介紹  設備架構  光感測(受)器(Detector)  從晶背問題探討  發射源分類:電路上哪些情況會有由PEM 測到亮點.  發射機制的整理  判斷亮點是否為問題點  各種機制的頻譜分布  單項說明:逐一討論各種情形  總結 完成時間:2005-05-20 E-mail 連絡作者: 基本原理: 半導體的發光(electroluminescence in semiconductors)  熱載子能量 釋放(Relaxation accompanied with light emission) 說明:  一可移動載 子(mobile charge carriers, 可為電 子或電洞) 經過 電場加速取得足 夠 的 動 能 (kinetic, 熱載子), 利用光將其累積 的動能釋放  此為PEM 測 得的主要光來源  此過程發生 在 同 一 能 帶 (intraband process).( 即未跨 過能階)  簡稱代號: F-PE (F: Field)  電子電洞結 合 (Radiative Band-Band Recombination): 說明:  導 帶 (conductance band) 與 價 帶 (valence band) 的 電子電洞結合  不同能帶間 轉 換 (interband process)  簡稱代號: R-PE(R: Reconmination)  右圖說明能 帶的關係[2]  (1)-(3) 稱為 interband transitions.  (4)-(7) 代表 有摻雜物參與反 應  (8)-(9) 稱為 intraband transitions  Si Bandgap: 1.12 eV(常溫;此 值隨溫度升高而 下降) P-N 接面二極體發光  需要足夠的電流才能有足 夠的光線給 PEM 接收(受限 於PEM 靈敏度,右圖紅線)  逆偏時需操作在崩潰 (avalanche) 區或很大的漏電 流(leakage current)(F-PE); 當 然也需有足夠電位給予載子 動能 (註:此並不適合使用, 因為測 量過程可能會損害元件