微机接口_第四章.ppt

二、只读存储器ROM 1. 掩膜ROM 特点： (1) 器件制造厂在制造时编制程序,用户不能修改。 (2) 用于产品批量生产。 (3) 可由二极管和三极管电路组成。 R R R R VCC 1 2 3 4 字线 位4 位3 位2 位1 输出数据数 二极管ROM 二极管ROM阵列 4 3 2 1 位 字 1 2 3 4 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 1 0 1 0 MOS管ROM阵列 字线1 字线2 字线3 字线4 字 地 址 译 码 器 VDD D4 D3 D2 D1 A1 A0 00 01 10 11 位线 位线 位线 位线 (1) (0) (1) (1) 4 3 2 1 位 字 1 2 3 4 0 0 1 0 1 1 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 D4 D3 D2 D1 (1) (1) (0) (1) (0) (0) (1) (1) (0) (1) (0) (1) MOS管ROM 2. 可编程ROM (PROM) 特点： (1) 出厂时里面没有信息。 (2) 用户根据自己需要对其进行设置(编程)。 (3) 只能使用一次，一旦进行了编程不能擦除其内信息。 3. 可编程可擦除ROM (EPROM，E2PROM) 特点： (1) 可以多次修改擦除。 (2) EPROM通过紫外线光源擦除(编程后，窗口应贴上不透光胶纸)。 (3) E2PROM电可擦除。 4. 只读存储器ROM结构 输出电路 Y 译码 存储矩阵 X 译 码 控 制 逻 辑 地 址 码 · · · D7 D0 它包含有 (1) 地址译码器 (2) 存储矩阵 (3) 控制逻辑 (4) 输出电路 ROM组成框图 5. ROM实例 Intel-2764芯片是一块8K×8bit的EPROM芯片，如图所示： 允许输出和片选逻辑 CE A0~A12 Y译码 X译码 输出缓冲 Y门 8K?8位存储矩阵 … OE 数据输出 ... · · · · · · 2764结构框图 VCC PGE NC A8 A9 A11 OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 2764 VPP A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND 封装及引脚 2764封装图 ? A0～A12 地址输入，213=8192=8K ? D0～D7 双向数据线 ? VPP 编程电压输入端 ? OE 输出允许信号 ? CE 片选信号 ? PGE 编程脉冲输入端，读PGE=1 操作方式 读 输出禁止 备用(功率下降) 编程禁止 编程 Intel 编程 校验 Intel 标识符 CE OE PGM A9 Vpp Vcc 输出 L L H H L L L L L H X X H H L L H H X X L L H H X X X X X X X H Vcc Vcc Vcc Vcc Vcc Vcc Vcc Vcc Vcc Vcc Vcc Vpp Vpp Vpp Vpp Vcc DOUT 高阻 高阻 高阻 DIN DIN DOUT 编码 2764操作方式 2764中第26脚为NC，若改为A13，则为27128芯片封装图，27128是一块16K×8bit的EPROM芯片，其操作与2764相同。 注意: 4.3 存储器与CPU的连接 数据总线 控制总线 CPU 地址总线 存 储 器 实质上是CPU与三总线相连 一、存储器与CPU连接时应注意问题 1. CPU总线的负载能力。 (1) 直流负载能力 一个TTL电平 (2) 电容负载能力 100PF 由于存储器芯片是MOS器件，直流负载很小，它的输入电容为5－10PF。所以 a. 小系统中，CPU与存储器可直连， b. 大系统常加驱动器, 在8086系统中,常用8226、 8227总线收发器实现驱动。 2. CPU的时序和存储器芯片存取速度的配合。 选择存储器芯片要尽可能满足CPU取指令和读写存储器的时序要求。一般选高速存储器，避免需要在CPU有关时序中插入TW，降低CPU速度，增加WAIT信号产生电路