基于MEMS高Q值核磁共振平面微线圈.pdfVIP

第5期 微细加工技术 No．5 2008年 10月 MICR0FABRICATION TECHN0LOGY Oct．，2008 文章编号 ：1003—8213(2008)05．0056—04 基于 MEMS的高 0值核磁共振平面微线圈 李晓南 ，一，王 明 ，杨文晖 ，王 利 ，宋 涛 (1．中国科学院电工研究所 生物医学工程研究部，北京 100190；2．中国科学院研究生院， 北京 100039；3．中国科学院电子学研究所 传感技术国家重点实验室，北京 100190) 摘要：为了提高核磁共振波谱检测信号的信噪比，实现对纳升级样品的检测，以及与微流控芯片集成，介绍了一种 高品质因数(Q值)平面微线圈及其制作工艺。基于对信噪比的仿真计算，利用 su一8厚胶掩模光刻与直流铜电镀 工艺，在玻璃衬底上得到几种几何参数优化的圆形与方形线圈。自行设计了一种直流铜电镀工艺，铜层生长速度 约1．2gm／min。平面微线圈几何参数如下：内半径200 m～1000 m，线宽／线间距20tim～80a／m，圈数 1～9圈， 线圈厚度约12 m。利用Agilent4294阻抗分析仪，测得85MHz／2Tesla下内半径 1000 m线圈的射频参数如下： RAC=7．25n，L=285nH，Q=21。测得的 Q值一频率曲线与仿真设计一致，即80MHz附近 Q值达到最大。与国 内外其他测量结果相比，所得线圈品质因数较高。相对于双层铜电镀方案，本制作_7-艺操作简单，经一次电镀线圈 即可成形，微米量级下更容易采用 MEMS_7-艺制作平面线圈。另外，平面微线圈的开发可以将核磁共振(NMR)检 测技术集成到微全分析系统中。 关 键 词：核磁共振平面微线圈；信噪比；MEMS；铜电镀 中图分类号：TN605 文献标识码：A 1 引言 2 NMR检测技术介绍与平面微线圈设计 核磁共振是指，磁矩不为零的原子核在外磁场作用下 自 核磁共振 (nuclearmagneticresonance，NMR)波谱检测技 旋能级发生塞曼分裂 ，共振吸收某一定频率的射频辐射的物 术作为一种成熟的化合物结构与成分分析技术，已广泛应用 理过程。当样品被置于静磁场曰 中时，宏观上会产生一个沿 于各种生物和化学实验室。但是，与传统的质谱分析和毛细 静磁场取向的磁化强度矢量M。，如果在垂直于 方向施加 管电泳技术相比，尽管其具有非侵入性、信息量丰富和可检测 一 个射频脉冲磁场，Mo将偏转90。，脉冲磁场?肖失后，在 。 未知化合物等特点，但核磁共振技术所得的信号非常微弱，并 恢复至热平衡态过程中，会在样品附近的线圈中感应出自由 与样品中自旋数量成正比…。另一方面，目前核磁共振波谱 感应衰减信号。平面微线圈NMR检测探头如图 1所示。图 仪一般采用5mm直径样品试管，相应体积约几十毫升，不适 中，微流道承载被测样品并内嵌于衬底中，衬底选用绝缘衬底 合稀有微量样品检测。本文介绍一种应用于核磁共振检测的 以避免电流损耗。 平面微线圈，相应样品体积约几十纳升。另一方面，减小线圈 对于纳升级样品核磁共振检测，线圈接收信号中的噪声 尺寸能显著增加单位 自旋的检