单晶硅太阳能电池前表面化学腐蚀研究 study of surface chemical etching of mono-crystalline silicon solar cells.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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单晶硅太阳能电池前表面化学腐蚀研究 study of surface chemical etching of mono-crystalline silicon solar cells

单晶硅太阳能电池前表面化学腐蚀研究李愿杰黄仑胡蕴成东方电气集团中央研究院,成都611731 摘要：制绒工艺是晶硅太阳能电池产业化研究的重要方向之一。本文对德国Rena公司的湿法腐蚀制绒设备进行了工艺流程的简要概括，在产业化环境中对硅片表面的化学处理工艺进行了研究。通过研究分析，自制的GP溶液能有效的降低溶液表面张力并改善单晶硅片表面的浸润效果；湿法腐蚀后，硅片表面绒面结构清晰，金字塔形状均匀，底座大小在2～3 μm左右；由腐蚀深度变化曲线分析可知，各腐蚀槽腐蚀深度值92％都集中在7.5～8.5之间，接近最优化腐蚀深度，碎片率低于5‰。制绒工艺；腐蚀深度；金字塔结构 TM914.4 A 1001-9006(2011)04-0068-06 StudyofSurfaceChemicalEtchingofMono-crystalline SiliconSolarCells LIYuan-jieHUANG LunHUYun-cheng 2011-06-11 李愿杰（1983-），男，博士，工程师，2010年博士毕业于四川大学太阳能材料与器件研究所，现在东方电气集团中央研究院从事太阳能材料与器件研究工作。前表面单晶硅对优化制号腐蚀槽 [D].四川大学，2010 @@[2]D.M.Chapin.C.SfullerandG.L.Pearson.“Anewsiliconp-n janctionphotocellforconvertingsolarradiationintoelectrical power”[J].Appl.Phys,1954,25:676-684 @@[3]ZhaoJ,WangA,GreenM,FerrazzaF. “Novel19.8％ efficient ‘honeycombtexturedmulticrystallineand24.4％monocrystalline siliconsolarcell”[J].AppliedPhysicsLetters,1998,73:1991- 1993 @@[4]Gee,J.andWenham,S.,1993.AdvancedProcessingofSilicon SolarCells, TutorialNotebook[C]. 23rd. IEEEPhotovoltaic Specialistconf.