等离子喷涂制备压电石英膜材料及性能分析 preparation of piezoelectric quartz film material by plasma spraying and its performance analysis.pdfVIP

下载本文档

1
0
约1.5万字
约 5页
2017-08-13 发布于上海
举报
版权申诉

等离子喷涂制备压电石英膜材料及性能分析 preparation of piezoelectric quartz film material by plasma spraying and its performance analysis.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

等离子喷涂制备压电石英膜材料及性能分析 preparation of piezoelectric quartz film material by plasma spraying and its performance analysis

第35卷第4期兵器材料科学与工程 V01．35No．4 2012盘 ANDENG矾EERING 7B 0ImNANCEMAl哐R工AL她NCE July，2012 网络出版时间：2012-07-1122：44：44 网络出版地址：hup：／／www．cnki．nm／kcms／mil／33．1331．TJ2244．002．hlml 等离子喷涂制备压电石英膜材料及性能分析张剑。陈文革，王艳丽，赵姗姗，卓磊 (西安理工大学材料科学与工程学院．陕西西安710048) 擅要采用大气等离子喷涂技术制备SiO：膜压电材料，利用XRD和SEM研究其组织结构，同时对其介电常数￡、介电损耗ta∞、压电常数如、机械品质因数p等性能进行测试。结果表明：采用大气等离子喷涂工艺可制备出相结构主要由a一石英和p方石英共同组成组织较为致密、缺陷较多的SiO：压电膜，压电常数d。和介电常数s．随膜厚度的增加而增加，介电损耗ta∞随膜厚度的增加而减小；介电常数轧介电损耗t柚、机械品质因数Q随频率的增加而减小，当SiO：膜厚为5 mm，压电常数击，最大值为2．3 pC／m。关键词等离子喷涂；S她膜；压电材料；压电性能中圈分类号TQl7 文献标识码A 文章编号1004-244X(2012)04--0053--04 0f m砒eliaI andit8 Preparationpi瑚删山圯吨qI斌z矗lm byplasma印朔yingpBr|‰ⅢIa玎伪毗Ia：【yBi8 (SchoolMMaterialsScience fdms micmstructure ofthickfdms Absu嘲Sinwere and successfullypreparedbyplasmasprayingtechnique．The properties results Ⅷstudied electron diffraction(xRD)．Theshowthatthe structureof by microscope(SEM)andX．ray scanning phase thickfilmam anda--cristobalite．Butthe Si02 thickfilmis Si02piezoelectricmainlycomposedofa·quartz preparedpiezoelectric characterized defect andlow constantd3，anddielectricconstant晶 byIa噌”pores，thela增er density density．Piezoelectric increaseswithSi02filmthickness．dielectriclosstan8decreaseswithSi02lilmthickness．Dielectricconstant晶anddielectric 5mill，tlle ma