低干扰低损耗新型mosfet三阶驱动电路 a novel three stage drive circuit for mosfet to reduce electromagneticinterference noise and switching losses.pdfVIP

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低干扰低损耗新型mosfet三阶驱动电路 a novel three stage drive circuit for mosfet to reduce electromagneticinterference noise and switching losses

第27卷第10期 中国电机工程学报 v01.27No.10 2007 Apr 2007年4月 ofmeCS髓 @2007C1lin.S0cfor PI∞ecdi“gs Elcc.Eng 文章编号:0258-8013(2007)10—0067—06中图分类号:IM46文献标识码:A 学科分类号:470.40 低干扰低损耗新型MOSFET三阶驱动电路 孙亚秀,孙力,聂剑红,姜保军,严冬 (哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院,黑龙江省哈尔滨市1500叭) ANoVd for Th聆e DriveCnunMoSFETtoReduce stage EI∞tr咖ag眦廿c hte商emnceNoiseand Lo鼹es SⅥ噎tching suN Ya-xiu,SuN Li,NⅢJian-hong,ⅡANGBaojun,YANDong E1ec倒cal hlsⅡtIlte (Dept.of engine鲥n昌Harbin Pmvince,china) of瞰lm0109y,Harbin150001,Heilong ABSTRACtMe“o,【ideseIlliconductor6elde眠tⅡ彻sistor 与关断时的电压电流波形及相应的传导发射。实验结果表明 illco玎ver旧c如uitbecauseits (MOSFET)is of 该驱动电路电磁干扰小,功率损耗低,开关速度快,无电压 widely8pPned and severe及电流的过冲现象,实现了驱动电路的优化。 lli曲s谢tchjngspeede勰y“viIl舀whichbrillgs cnuitisme e】ecⅡomgn甜cmerference(EⅫ)11】eg出drive 关键词:三阶驱动策略:电流电压变化率;电磁干扰;开关 in把dhcebetw∞n switches阳dtlle th。power 109ic-level 损耗;开关速度;密勒效应 Its affects山e1evelofE~Ⅱ1H8 s培nalspcrfomlance papcr anoveldIive the 0引言 proposed circllit世er曲alyzingswitcbi“g 咖sientofMOSFEtT1le衄vechllitc锄reduceEMInoise 近年来,随着电力电子器件技术的进步,尤其 atld 10sseswiⅡ10uttlleincrease swkhing ofswitching岫e. 是金属氧化物半导体场效应晶体管(MoSFET)等高

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