低温退火制备ti4h-sic欧姆接触 fabrication of ti4h-sic ohmic contact by annealing at low temperature.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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低温退火制备ti4h-sic欧姆接触 fabrication of ti4h-sic ohmic contact by annealing at low temperature.pdf

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低温退火制备ti4h-sic欧姆接触 fabrication of ti4h-sic ohmic contact by annealing at low temperature

工毯塑丝咿低温退火制备Ti／4H．SiC欧姆接触陈素华，王海波，赵亮，马继开 (大连理工大学电信学院电子系，辽宁大连“6023) 温制备Ti欧姆电极的工艺及其基本电学特性。通过氢等离子体处理4H．Sic的表面，沉积Ti后可直接形成欧姆接触，室温下比接触电阻率JD。为2．25×100Q·cm2(1D。由圆形传输线模型CTLM测得)，随着合金温度的升高，其欧姆特性逐渐增强，400℃合金后获得最低的比接触电阻率．0。为质与微观结构问的联系。最后讨论了低温欧姆接触的形成机制。关键词：碳化硅；氢等离子体；欧姆接触；比接触电阻率文献标识码：A 中图分类号：7Ⅲ305．93；TN304 Fabrication0fTi／4H-SiCohIllicContact by atLow A衄ealing Temperature Chen Haibo，Zhao Jikai Suhua，Wang Liang，Ma o，眈c打Dn站口以删白，7n耐如nE哂，阳而愕，D。z施nu舭搿蚵 (D印nn舢眦矿眈c加毗E卿，踟百ng，sc幻oz ∥‰矗咖，A曙z如忍116023，秭玉嘏) 0n at800～1 traditiona上±曲五cati册耐oh埘ccon￡8ctS主C Abs扫孔t：A衄ealing200‘℃is嗍ui删in ofTiohIIlic onn devices．kw a11dbasicelectricalcharacters electrodes temperatureprep面ngprocess type Ti 4H—siC wascleaned 4H—SiCsubstrate8werestudied．0hIlliccontactwa8fonned after surf如e bydepositing circulart肼lsIIlissionline mom was2．25×10。Q。cmz(measured temperature by byhydrogenplasma．At IDc t}le ohnlicbehaviorofthecontacts model(CTIM))．With increasing， improVed annealingtemperature at400℃，thelowest wasusedtodet