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Ch03制造工艺的
超大规模集成电路设计;第3章 IC制造工艺;3.1 外延生长(Epitaxy);液态生长(LPE: Liquid Phase Epitaxy);气相外延生长 (VPE: Vapor Phase Epitaxy);Si基片的卤素生长外延;金属有机物气相外延生长 （MOVPE: Metalorganic Vapor Phase Epitaxy）;分子束外延生长 (MBE: Molecular Beam Epitaxy);英国VG Semicom公司型号为V80S-Si的MBE设备关键部分照片 ;3.2 掩膜(Mask)的制版工艺;什么是掩膜？; 整版及单片版掩膜;早期掩膜制作方法：;IC、Mask Wafer;整版和接触式曝光;2. 图案发生器方法 (PG: Pattern Generator);图案发生器方法(续);3. X射线制版 ;4. 电子束扫描法(E-Beam Scanning);电子束光刻装置: LEICA EBPG5000+;电子束制版三部曲：;电子束扫描法(续);3.3 光刻 (Lithography);3.3.1 光刻步骤;正性胶与负性胶光刻图形的形成;涂光刻胶的方法(见下图)：;光刻步骤二、三、四;3.3.2 曝光方式;曝光系统(下图): 点光源产生的光经凹面镜反射得发散光束，再经透镜变成平行光束，经45?折射后投射到工作台上。;接触式曝光方式的图象偏差问题;掩膜和晶圆之间实现 理想接触的制约因素;接触式曝光方式的掩膜磨损问题;非接触式光刻;缩小投影曝光系统;缩小投影曝光系统(示意图);缩小投影曝光系统的特点;3.4 刻蚀(Eching) ;湿法刻蚀;干法刻蚀 —等离子体刻蚀,反应离子刻蚀RIE;3.5 掺杂;3.5.2 热扩散掺杂;3.5.3 离子注入法; 离子注入机包含离子源，分离单元，加速器，偏向系统，注入室等。;离子注入机工作原理;注入法的优缺点;3.6 绝缘层形成;绝缘层的形成方法;3.7 金属层形成
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