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无铁芯变压器——一项适用于半桥驱动器芯片 的新技术 1 1 2 2 M.Münzer ；W. Ademmer ；B. Strzalkowski ；K. T. Kaschani 1 eupec GmbH, Max-Planck-Straße 5, D-59581 Warstein, mark.muenzer@ ，电话：++49-(0)2902-764-1195 2 Infineon Technologies, Balanstraße 59, D-81609 München 要在半桥配置中驱动上半桥开关，必须将信号从微控制器传输到悬浮的高边电势。根据驱动电路的性能 级别，高压芯片将对信号转换采用不同类型电平转换技术、光耦合器或变压器。使用电平转换技术的高 压芯片相对比较便宜，但原则上它们不满足电气隔离。另一方面，光耦合器确实能够提供安全隔离，但 它们的性能会随着时间推移而下降。尤其是在高性能驱动中，尽管分立式变压器非常昂贵，但它们是常 用解决方案。通过在硅芯片上集成双绕组无铁芯变压器，英飞凌科技与 eupec 合作开发出了一项高性价 比解决方案，此方案将变压器的优点融入芯片中。本文说明了用于构建第一个半桥驱动器芯片的技术。 将为您呈现对信号传输的首次测量以及绝缘电压。鉴于能够将各种功能集成到芯片中，将讨论半桥驱动 器的潜在特性。 栅极驱动——需求和市场 不同，而且会在工作期间发生变化。要将 PWM MOS 控制的功率半导体是工业界中的现有技术。 信号从微控制器传输到高边的功率半导体，需 要在驱动这些器件在驱动应用中必须给栅极对 要某种信号转换。总之，我们可以说栅极驱动 发射极施加电压参照微控制器的PWM 信号由于 的最低功能是进行增强和电平转换。 微控制器的输出信号不够强并且额定电压较低， 因此必须增强信号并调整电压电平。如果功率 电平转换的概念 器件的电势相同，那么栅极驱动器的这些功能 行业标准要求变频器的功率级与控制台之间具 够用，但在大多数情况下，发射极与微控制器 有安全电气隔离。在大多数低性能驱动应用中， 的电势不同。 在控制台与微控制器之间实施此隔离实现了更 高的性价比。 图1：框图半桥配置 我们来看一下半桥配置（图 1），由于在电子电 图2 ：具备准隔离的单片集成电平转换电路 路中此配置很常见，因此很容易看出微控制器 与高边发射极VE2 之间的电压不仅 由于微控制器和功率级之间不再需要进一步绝 保证安全隔离，根据 EN50178 线圈之间的势垒 缘，因此可以使用具有单片集成电平转换电路 必须承受 6kV 的电压。图4 显示了对无铁芯变 的高压芯片（类似于图 2 中显示的芯片）。对 压器设备执行的局部放电试验的结果，此设备 于600V 及以下电压，这些芯片的性价比非常高。 具有使用二氧化硅制成的绝缘层并经过了持续 对于更高电压，输入与输出之间的准隔离势垒 的压力测试。 所需的硅面积导致此解决方案成本高昂.具有更 高性能级别的驱动通常需要在微控制器和功率 级之间进行隔离。对于工作电压高达890V 的应 用来说，针对这些驱动的首要选择是具备安全 隔离的光耦合器。所有光耦合器解决方案的一 个主要缺点是传输特性，速度非常慢，甚至会 随时间推移而劣化。除了未限制到890V 应用之 外，光纤也有相同的问题。还可以通过脉冲变 压器设计实现高隔离电压。这些分立式脉冲变 压器的传输特性令人满意，但其成本和物理尺 寸导致我们需要寻找新的解决方案。无铁芯变 压器这一单片集成的平面型器件正是这些新