超低能区（20keV）D+D核反应.PDFVIP

低能区(20keV)D+D核反应 在金属材料中的电子屏蔽效应 王强 兰州大学核科学与技术学院 与赵江涛、王铁山 已有的工作： 在金属中 核反应几率增加。 DD 这种增加效果来自反应环境，可用电子屏蔽势能来描述。 电子屏蔽势能约几百电子伏。 例如：反应率：在2.5keV时： × R(in PdO) 100 R(standard) R × (in Pd,Fe) 10 R(standard) R(standard): thick target yield 电子屏蔽效应 在低能核反应中起着很重要的作用 超低能区的核反应率： 与反应发生的环境有很大的依赖关系 ( ) 2 S E Z Z e ( ) exp( 2 ), 1 2 sb E ph h E hv E E E Us screening s (E) s(E E ) Us ) s screening 本次工作： 用 ， 等金属为反应介质 Mo W 探测不同金属对 核反应的影响。 DD 测定不同介质的电子屏蔽势能。 探测 离子在介质中的分布情况。 D 氚峰 质子峰 本底 本为 ， 0 质子峰的计数大于10000 对于 较大的介质，由于介 Z 质原子对 的散射， 核反 D DD 应的动力学关系发生改变。