硅半导体和非晶硅材料.pptVIP

硅半导体与非晶硅材料;2.1 半导体材料2.2 半导体种类 2.3 光能的转换吸收 2.4 电子空穴对的产生与复合 2.5 光生伏打与PN结;2.1 半导体材料;2.1.1 化学键模型;2.1.3 掺杂半导体;2.2 半导体的种类;2.2.1 单晶硅（sc-Si） ; 行惨杂 ，或者在太阳能电池的构造中获得较好的电池。研究表明，氢 原子核非晶硅成键的程度达到5%~10%时，摇摆键被饱和，从而改善了材料的质量。这个氢钝化的过程同时也能上带隙的光子。作为太阳能电池所要求的材料厚度，因此也就变得更薄。 在此类硅氢合金材料中，少数载流子的扩散长度远远小于1um，于是耗尽层为电池中获取自由载流中地主要区域。为此，人们采用各种设计方案来解决这些问题，包括尽可能地增大耗尽区的尺寸。图(b)是a-Si:H太阳能电池的大至设计图。太阳能电池产生中使用的非晶硅和其他的”薄膜“技术可以用来制造许多小型的消费品，如计算器和手表等。大体说，薄膜技术提供了一种非常低廉的电池制造方法，尽量目前利用此类技术制造的电池的效率和寿命均低与晶体材料。研究显示薄膜和其他潜在的低成本太阳能电池材料的技术，可能在未来几十年内主导太阳能电池市场。;2.3 光能的转换吸收; 2.4 电子空穴对的产生与复合; 当连接在一起时，由于在PN中不同区域的载流子分布在浓度梯度，P型半导体材料中过剩的空穴通过扩散作用流动至N型半导体材料。同理，N 型半导体中过剩的电子通过扩散作用流动至P型半导体材料。电子或空穴离开杂质原子后，该固定在晶格内德杂质原子被电离，因此在结区周围建立起一个电场，以阻止电子和空穴得上述扩散流动。该电场所在区域就是所谓的耗尽区，取决于材料的特性，会形成一个内电场Ein而存在内建电压（Uin）。 如果在PN结上施加一个如图F所示的电压，电场Ein会被减弱。一旦电场Ein不够大而无法阻止电子和空穴得流动，就会产生电流。内建电压减小Uin—U，而且电流随着所加电压以指数增加。这个现象可以用理解二级管法则描述： I = Io［exp（qU/kT）-1］其中，I为电流;Io为饱和暗电流；U是所施电压；q是??子的电荷；k是波耳兹曼常数；T是绝对温度。 注意的是： a：Io随着T的增大而增大； b：Io随材料品质的提升而减小； c：在300k时，热电压kt/q=25.85mV 对于实际的二极管而言，变为 I = Io［exp（qU/nkT）-1］ ;谢 谢