掺杂对薄膜影响.docVIP

一、P层掺杂对薄膜性能的影响 1.1CH4掺杂对薄膜性能的影响 1.1.1CH4/SiH4流量比对薄膜沉积速率的影响 （a）报道来源：汪　沁等. p-i-n型非晶硅薄膜电池p层材料制备及光学性能研究[J].大连理工大学学报，2011，54（1）：S1-S4. 结论：随着掺杂比（CH4/SiH4）的不断增大，薄膜的沉积速率不断的降低。原因由于键能值较低(299 kJ/mol)且易于分解的硅烷流量下降,相比而言,甲烷的键能值则较高(413 kJ/mol),较难分解;其二,由于碳氢基团在薄膜生长表面相比于硅氢基团而言具有较低的吸附系数。 1.1.2 CH4/SiH4流量比对薄膜电学性能（电导率）的影响 （a）报道来源：武汉理工大学，沈峰硕士论文《PECVD法制备P型非晶硅薄膜及多晶硅薄膜》。 结论：随着甲烷掺杂浓度的增大，电导率逐渐降低，说明掺碳对电导率有预制的作用。 1.1.3 CH4/SiH4流量比对薄膜光学性能（光学带隙、透过率）的影响 1.1.3.1 CH4/SiH4流量比对薄膜光学带隙的影响 （a）报道来源：武汉理工大学，沈峰说硕士论文《PECVD法制备P型非晶硅薄膜及多晶硅薄膜》。 结论：随着甲烷掺杂浓度的增大，薄膜的光学带隙逐渐增大。原因是随着碳掺杂的增大，C-H键和C-Si键逐渐增多，C-H键和C-Si键的键能相比于Si-Si键键能