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多应力结构cmos器件的模拟研究 simulation research on cmos device with multiple stressors
器件制造与应国
^|衄幽n耐雌柚d
多应力结构CMOS器件的模拟研究
施昊,周东,张庆东,顾晓峰
(江南大学信息工程学院,江苏无锡,214122)
摘要:使用TCAD仿真工具Sentanms在45nm节点工艺下模拟研究了包含多应力结构的应变
SiCMOS器件。模拟所得的开关电流比与相同节点工艺下报道的实验结果能很好吻合,验证了所
用模型及方法的正确性。用Sentaums工艺模拟工具得到了器件内部的应力和掺杂分布,并用
se吣帆B器件模拟工具分析了各种应力结构对电学特性的影响。结果表明:在∞LMOS中,SMT和
S/D和DSL的存在是性
DSL能有效提高器件性能,而STI却会降低器件性能;在pMOS中,SiGe
能改善的主要原因。而STI对性能改善的帮助较小。
关键词:多应力结构;应变硅;互补金属氧化物半导体;模拟
中图分类号:TN432文献标识码:A
SimulationResearchonCMOSDevice耐th Stressors
Multiple
ShiHao,Zhou
Dong,ZhangQingdong,GuXiaofeng
(SchoolofInformationTechnology,矗哪弘饥Vn/删,s/:y,Wux/214122,Ch/aa)
with stressorswag TCADsimulationtoolSentaunmat
Abstract:CMOSdevicemultiple studied戚I唱the
45nm node.Theon/offcurrentratioobtainedsimulationshows
process by
thecorrectnessofthesimulationmodelandmethodused.Thest船and
experimentresults.verifying doping
in Sentaurus theeffectsofvariousstressors0nthe
distributionsthedevicewereobtained
by process,and
thatstressesinducedSMTand
electrical were Sentaurasdevice.Resultsindicate
investigatedby by
properties
DSLcan theelectrical ofthestrainednMOS STI thedevice
improve properties effectively,whiledegrades
SiGeS/DandDSLCan the of
theotherhand.s1[re8瞄induced
performance.On by improveperformance
thestresscausedSTIshowssm
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