多种ic设计中cu cmp阻挡层浆料选择和去除率的控制 controlling removal rates and selectivity in barrier slurry for cu cmp for a variety of ic designs.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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多种ic设计中cu cmp阻挡层浆料选择和去除率的控制 controlling removal rates and selectivity in barrier slurry for cu cmp for a variety of ic designs

电子工业苣用设备 ·专题报道．多种IC设计中CuCMP阻挡层浆料选择和去除率的控制 Jinru Bian，Ma劬ew 高仰月译 VanHanehem，Hu曲Li (RohmandHaasE1ectronic Materials，CMPTechnolo百esNewark，Delaware，U．S．A．) 摘要：集成电路的前缘技术是在低后介质材料上设计3个盖层的复杂结构，上面的盖层可以用 TEOS(tetraethVl oxide)直接生成。因此，对于适合铜CMP的选择性碳化硅(SiCN)，碳化硅(SiC)域CDO(carbondopped 浆料，除了具备的高去除率之外，须是在去除上面盖层后能够在下面的介质层表面上终止的浆料。或两种薄膜表面终止，这完全取决于这些特殊浆料的配方设计，通过一两种添加剂控制去除率达到要求。系列浆料中的大多数浆料研磨剂的含量较低，在低压力的情况下具有良好的去除率，为了适应多种行业的需求，高低pH值均可使用。大多数浆料是可调的，用一种或两种添加剂来控制薄膜的去除率。描述和讨论了这些浆料的改良原理。关键词：化学机械抛光；去除率；阻挡层浆料中图分类号：TN305．2 文献标识码：A 文章编号：1004—4507(2006)10．0014—05 RemoValRatesand inBarrier Controlling SelectiVity Slurry CMPfora ofIC forCu Varietydesigns Jinm Bian，MatthewVanHanehem，Hu曲Li (RolllllandHaasElec仃onic Materials，CⅦ’Tec王lIlologiesNewark，DelaWare，U．S．A) circuits stmctures tohaVeto3 Abstract：Leadinginte伊ated (ICs)arecomplicateddesigned up edge aboVealowkdielec仃icmaterial．111e Iater useTEOSand／orsilicon cappinglayers uppercappingmay thelowerone usesiliconcarbon car- nitride(SiN)while carbide(SiC)，or may ni打ide(SiCN)，silicon bon k thelow banjer f．0r dopped dielectric．Therefore，asluITy oxide(CDO)immediately￡lbove copper additiontoeX