二维短沟道mosfet阈值电压分析模型 analysis of 2-d short-channel mosfet threshold voltages model.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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二维短沟道mosfet阈值电压分析模型 analysis of 2-d short-channel mosfet threshold voltages model.pdf

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二维短沟道mosfet阈值电压分析模型 analysis of 2-d short-channel mosfet threshold voltages model

步粼黧皇嬲二维短沟道MOSFET阈值电压分析模型李海霞，毛凌锋 (苏州大学电子信患学院，江苏苏州215021) 摘要：随着器件尺寸的进一步减小，由量子效应导致的能带分裂对MOSFET中闽值电压特性的影响变得越来越重要。提出了一个包含量子效应(QME)的短沟道金属氧化物场效应晶体管 (MOSF．ET)分析的闽值电压模型，该模型建立在求解包含量子校正的泊松方程的基础上。分析在泊松方程中考虑量子效应后建立的分析的闲值电压模型可知：随着器件尺寸的减小，由量子效应和短沟道效应引起的阈值电压的升高变得越来越严重。本模型的优点是没有引入额外的物理参数。关键词：深亚微米半导体器件；解析阈值电压模型；量子机制效应中图分类号：TN386．1文献标识码：A 文章编号：1003．353X(2009)03．0254．04 of2-DShort-ChannelMOSFETThreshold Model Analysis Voltages LiHaixia，Mao Lingfeng (SchoolElectronicand of InformationEngi,m,ring，$ooehow 215021，Ch／na) University，Suz．hou ofthebandcausedthe amoreandmore Abstract：皿e split by quantummechanism(QM)effectspkLys effectonthethreshold inMOSFl巳T酗theCMOS scalesdown．An significant voltageproperties technology 2Dmodel intoaccountthe effectsforthethreshold characteristicsofshort- analytical taking QM voltages channelMOStransistorswag onthebasisofthesolutionofthe correctionPoisson propo嗽l developedquantum model illustratestheincreasedthresholdcaused effects．andtheshort- equation．-11_lisclearly voltage byQM more channeleffectsbecomeobviousafter effectswereconsidered．’nleattractivefeatureinthismodelis QM thatnoaddition isusedtotakeintoaccountthe effects． parameter quantum words：sub-micron tllreshold mqEN：hanismeffect Key MOSFET；analyticalmodel；quantum EEAC：2520D；2560B 1。5