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化 合 物 半 導 體 中 華 民 國 九 十 三 年 十 月 1 前 言 化合物半導體領域的研究涵蓋材料、元件、製程與電路，其應用以無線通訊、 光通訊，及光儲存為主。近年來高亮度發光二極體之迅速竄起，使固態照明亦成 為最有發展潛力的應用領域。這些應用領域的發展與需求領導著技術的研發方向 與時程；對等的，化合物半導體技術的進展與成熟度亦深切地影響其應用市場的 成長與地位。我國在過去五年內，化合物半導體產業蓬勃發展，周邊建設與產業 供應鏈已漸趨完整並漸具規模，例如在電子產品方面的 IC 設計，晶圓代工，封 裝測試與磊晶代工；在光電產品方面的磊晶成長，晶粒製造與封裝組合，均已在 國際間扮演舉足輕重之角色。然而，面對國內外產業發展趨勢，我國勢必無法持 續以低廉之製造能力於國際市場競爭，創新的知識與技術才是藉以立足與永續發 展之基石。因此，除了舊技術之改良外，新領域、新技術的探索是學術研究上必 須特別強調的方針。本規劃書就化合物半導體未來之發展趨勢，勾勒出涵蓋基 礎、應用與前瞻性之研究重點，提供各位同仁參考，以期結合眾人之智慧，創造 衝擊性之成果，培育高水準之人才，提昇我國在二十一世紀所需之競爭力。 2 Ⅰ.材料 1. 前言 化合物半導體主要包括 III-V 族，II-VI 族、IV-IV 族及 I-III-VI 族等，但就研 究現況及未來遠景而言，仍以 III-V 族、II-VI 族及 IV-IV 族為主流，其研究重點 概述如下。 2. III-V 族 1) GaAs 系列材料︰包括 AlGaAs 、應力型的InGaAs 材料，已是最成熟的 化合物半導體，也是在光纖通訊、無線通訊及資訊產業上不可 或缺的關 鍵材料。近年來，研究重點除了與量產技術相關 的課題外，最受注意的 方向就是與奈米科技相關 的 InGaAs 、InAs 量子點、量子線低維度結構及 其臨場 即時檢測技術、Metamorphic 磊晶技術、含氮的 InGaAsSbN 材料、 以及含 Mn ，Co ，Ni 及 Cr 等元素之磁性材料。這些新穎材料搭配奈米結 構會是未來發展量子元件的基礎。 2) 磷化物系列材料︰包括可 見光範圍的 AlGaInP/GaAs 及光纖通訊應用 的 InGaAsP/InP 以及 InAlGaAs/InP 系列材料。含磷 系列的材料，在 MBE ）技術方面， MOCVD 磊晶技術上已相 成熟，但在分子束磊晶 （ 直到最近幾年由於固態磷源技術之進步 ，且有良好的均勻性及安全性 的優點，而成為許多人青睞的選項之一。AlGaInP 材料主要應用於 LED 及 雷射 ，而InGaP/GaAs 則是重要的 HBT 材料，InP 系列除了光纖通 訊的應用之外，也是高速元件及 MMIC 的重要材料，特別是 InP HBT 將在 100 GHz 以上的電路扮演極重要的角色。 然，其奈米結構 亦是 研究重點之一。 3) 氮化物系列材料︰包括 BN ，AlN ，GaN 及 InN 等，是當今最熱門的研究 重點，相關材料的波長涵蓋範圍 包括紫外光、紫光、藍光、綠光、紅光， 甚至紅外光，而元件則 包括高亮度發光二極體、半導體雷射 、光偵測 器 ， 以及高功率電子元件，如 HEMT 及整流 器等。由於 它的應用廣泛且較其 他化合物半導體環保 ，各種不同的磊晶技術都值得發展。 目前氮化物系 列材料最大的課題是沒有適 的基板可與之晶格匹配 。因此，基