高性能InSb霍尔元件的设计.pdf

维普资讯 26 仪表技术与传感器 199B年 、 【摘要】本文主要介绍7薄膜型InSb慧尔元件的芯片图形设计和磁路结构 设计 ，并给 出7设计取值范 围。元件性能 已得到实验验证 ，其主要参数指标达到 j国外同类产品先进水平 ． 叙词：霍尔元件 敏感膜 磁路 霍尔电压 冲 卜 ， ，——f J ． TheDesign ofaH igh Perform ance InSbHallElem ent SunRentao，YuChengminandKongHalxia ShenyangInstituteofInstrumentationTechnology，Shenyang 110043 Abstract：Thispaperintroducesthedesign ofthechippatternandmagnet— iccircuitofathin—film Hallelement，andpresentstherangeofdesignedparam — etersthathavebeenproven effective inexperiments．Themain specifications havecomeup to thoseofsim ilarelementsabroad． KeyW ords~HallElement，SensitiveFilm ，M agneticCircuit，HalIVoltage． 薄膜型 InSh霍尔元件是磁敏传感元器 一 、 InSb霍尔元件的工作原理 件 中应用量最大的一种元件，其特点是输出 霍尔电压高、成本低 。其主要应用领域是用来 如图 1所示，将通有 电流 ，的半导体放 制作各种无刷 电机，如录像机的磁鼓 电机、主 磐 导轴电机、计算机软盘驱动电机、记录仪伺服 电机等。在我国录像机一条龙生产基地建成 并投产后 ，仅录像机一项年需 InSn霍尔元件 即达六百万只 上。由于该元件的制备技术 囤 1 奢 末元 件工 作原堆 罔 难度太，国外只售产品不出让技术，因此，“八 置在垂直于 电流方 向的磁场 B 中，载流子受 五” 前国内尚属空 白，应用全靠进 口。我们 洛仑兹力的作用发生偏转 ，在垂直于电流 ， 经过多年的研究，终于成功地制作 出高性能 和磁场 B方 向的半导体两侧即可产生 电荷 薄膜型 InSb霍尔元件 。其参敦指标达到了国 积累，产生一 电压信号——霍尔电压。 外同类产品先进水平 。芯片图形设计和磁路 其表达式为： = -，·B (1) 结构设计是该元件制作的关键技术之一，本 式中 —— 灵敏度系数 文将这方面的研究成果作 以介绍 。 ，—— 流过半导体的工作 电流 B—— 垂直于半导体表面的磁感应 维普资讯 第 6期