方华军半导体器件物理第一次作业.docxVIP

半导体器件物理——第一次作业一维无时薛定谔方程如下其中，是波函数的空间部分，V(x)是势函数，E为能量，m为电子质量，是普朗克常数。式（1）用Matlab的dsolve命令可以解出波函数，C1*exp((-f)^(1/2)*x) + C2*exp(-(-f)^(1/2)*x)要用Matlab和有限差分数值法求解波函数，需要初值，还需要确定E和V(x)，这里讨论的是E和V(x)均为已知的情况。在势阱区间取N个点，则，式中a为势阱宽度，两端边界已知函数值，于是有（3）将函数泰勒级数展开，为两式相加得将上式带入（3）式，可得上式可化为矩阵式K=B其中则。势阱一N=100;A1=linspace(-2,-2,N);A2=linspace(1,1,N-1);C=diag(A1)+diag(A2,1)+diag(A2,-1);h=1.054*10^(-34);%普朗克常数a=40*10^(-9);%势阱宽度m=9.11*10^(-31);%电子质量E=(h^2)*(pi^2)/(2*m*(a^2))/(1.6*10^(-19));%一阶波函数电子的能量delta=a/N;%点间距b=-(h^2)/(2*m)/(1.6*10^(-19));%系数A=(E*(delta^2))/b;d=eye(N);D=(-A)*d;B=C+D;%构造微分矩阵，包含能量项的矩阵做系数矩阵K=linspace(0,0,N);K(1)=0.02;K(N)=0.02;%设置初始条件y=K/B;%求波函数x=1:1:100;plot(x,y)%绘制波函数图像text(50,0.63,y(x))2.势阱二在势阱一的基础上，势函数有所变化，只将势函数V改为矩阵linspace(0,0.01,N)即可。程序如下：N=100;A1=linspace(-2,-2,N);A2=linspace(1,1,N-1);C=diag(A1)+diag(A2,1)+diag(A2,-1);h=1.054*10^(-34);%普朗克常数a=40*10^(-9);%势阱宽度m=9.11*10^(-31);%电子质量E=(h^2)*(pi^2)/(2*m*(a^2))/(1.6*10^(-19));%一阶波函数电子的能量delta=a/N;%点间距b=-(h^2)/(2*m)/(1.6*10^(-19));%系数A=(E*(delta^2))/b;d=eye(N);D=(-A)*d;v=linspace(0,0.01,N); V=diag(v);%势阱函数 q=1.6*10^(-19);%电子的电荷量 g=-1*q/b; G=g*V; B=C+D+G;%构建的系数矩阵 K=linspace(0,0,N);K(1)=0.01; K(100)=0.01;%初始条件 y=K/B;%求波函数 x=1:1:100; plot(x,y)%绘制波函数图像text(50,0.015,y(x))3.势阱三在势阱二的基础上，修改势函数，即将势阱二中的v=linspace(0,0.01,N);换成以下语句：v1=linspace(0,0.01,N/2);v2=linspace(0.01,0,N/2);程序如下：N=100;A1=linspace(-2,-2,N);A2=linspace(1,1,N-1);C=diag(A1)+diag(A2,1)+diag(A2,-1);h=1.054*10^(-34);%普朗克常数a=40*10^(-9);%势阱宽度m=9.11*10^(-31);%电子质量E=(h^2)*(pi^2)/(2*m*(a^2))/(1.6*10^(-19));%一阶波函数电子的能量delta=a/N;%点间距b=-(h^2)/(2*m)/(1.6*10^(-19));%系数A=(E*(delta^2))/b;d=eye(N);D=(-A)*d;v1=linspace(0,0.01,N/2);v2=linspace(0.01,0,N/2);v=[v1,v2];%势阱函数V=diag(v); q=1.6*10^(-19);%电子的电荷量 g=-1*q/b; G=g*V; B=C+D+G;%构建的系数矩阵 K=linspace(0,0,N);K(1)=0.01; K(N)=0.01;%初始条件 y=K/B;%求波函数 x=1:1:N; plot(x,y)%绘制波函数图像text(40,0.013,y(x))4.势阱四将势阱二中的v=linspace(0,0.01,N);换成以下语句：v1=linspace(0,-0.01,N/2);v2=linspace(-0.01,0,N/2);即可程序如下：N=100;A1=linspace(-2,-2,N);A2=linspace(1,1,N-1);C=diag(A