高功率二极管真空绝缘结构设计与实验 design and experiments of high power diode insulation.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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高功率二极管真空绝缘结构设计与实验 design and experiments of high power diode insulation.pdf

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高功率二极管真空绝缘结构设计与实验 design and experiments of high power diode insulation

第44卷第1期电力电子技术 V01．44，No．1 2010年1月 PowerElectronics January，2010 高功率二极管真空绝缘结构设计与实验伍友成，杨宇，耿力东，郝世荣 (中151I程物理研究院，四川绵阳621900) 摘要：介绍了二极管真空绝缘中真空沿面闪络理论、绝缘结构设计要点以及沿面闪络域值估算方法。提出二极管结构优化设计的思路和方法，通过数值计算对一种高功率二极管真空绝缘设计进行了优化，一方面降低了三相点的电场强度和绝缘体沿面电场强度，另一方面提高了绝缘体表面韵沿面击穿场强，从而大大改善了二极管绝缘体的绝缘性能，延长其使用寿命。实验结果表明优化后的二极管绝缘结构满足设计指标，在正常工作电压下未发生击穿现象。关键词：真空绝缘；二极管；沿面闪络；击穿场强中图分类号：TU03 文献标识码：A 文章编号：1000—100X(2010)01．-0004—02 and PowerDiode DesignExperimentsof珂gh Insulation WU Yu，GENG You—cheng，YANGLi—dong，HAOShi—rong Institute (ChinaAcademyofEngineeringPhysicsofFluidPhysics，Mianyang621900，China) on flashoverofinsulatorssurfaceinvacuumisintroduced．Thediode Abstract：The of insulation theorypulsed keys design invacuumandthe of flashoverthresholdaIeincluded．Themethodto thediodeinsulation wayestimating optimize design invacuumis insulation is numericalsimulation。theflashoverthresholdisad． presented．TheconSgurationoptimazedby vaneedandtheWOrkfieldofinsulatorsurfaceis theinsulation ofthediodeinstilatoris depressed．So capability impmved that resultsshow theflashoverdoesn’t onthesurfaeeoftheinsulator． greatly．Theexperimental happen field Keywords：vacuuminsulation；diode；flashover；breakdown strength 1 引言一般认为击穿的起始阶段在阴极三相点(电在脉冲功率源的输出端与二极管负载之间往