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高压直流输电系统中光可控硅阀正反向保护原理研究及故障预警 research on the right and opposite directions protection principle of light thyristor valve in hvdc system and failure message monitoring
2013年6月第16卷第6期 贵州电力技术 专题研讨
2013,Vol,16,No.6 GUlZHoUELECTRICPOWER’IECHNoLoGY
SpecialRepots
高压直流输电系统中光可控硅阀
正反向保护原理研究及故障预警
芦世交
(中国南方电网超高压输电公司天生桥局,贵州兴义562400)
摘要:本文依托贵广直流输电工程深入分析了光可控硅阀正反向保护原理、反向恢复期保护脉冲时序、BOD动作
原理及故障预警信息,为高压直流输电工程技术人员分析判断光可控硅阀控系统故障、保护动作机理提供理论依
据,同时也为光可控硅阀控系统的运行监测及状态检修的开展奠定了基础。
关键词:光可控硅;保护;BOD动作;故障
文章编号:1008—083X(2013)06—0026—04中图分类号:TM8文献标志码:B
近年来,高压直流输电系统在我国得到了大力 系统再将阀的运行信息上传与极控系统。TVM板
的发展,高压直流输电系统对于大容量远距离输送 主要有以下功能:
电量的优势也是越来越显著。作为高压直流输电系 (1)在预检状态下检测晶闸管的阻断能力。
统中重要的设备之一,光可控硅阀在贵广I回、贵广 (2)检测晶闸管具有正向开通条件。
II回直流输电系统中得到了广泛的应用,其阀控系 (3)晶闸管的负电压检测,也就是电流过零
统在几年的运行工况中也积累了丰富的经验,深入 (EOC)回报信号。当晶闸管两端的电压在一150V
了解光可控硅阀正反向保护原理及故障预警信号, ~一170V时,产生一个负电压回报信号,VBE在收
是直流输电工程技术人员学习掌握高压直流输电核 到该信号时,将它送给极控,极控发一个控制信号给
心技术的重要内容,也为可控硅阀控系统运行监测
及状态检修的开展奠定理论基础。 路,对换流阀进行反向恢复期保护。
(4)过电压保护,也就是通常所说的BOD保
1 光可控硅阀的组成
护。BOD保护和正向电压检测原理基本相同,当晶
以±500kV贵广I回直流输电系统中普通应用
的光可控硅阀(唧)来说明其组成结构。每个阀由 一个BOD回报信号。
3个阀层组成,每个阀层由两个完全相同的阀段串 其中第(3)和第(4)的分析中,光可控硅阀在运
联而成,而每个阀段再由13只晶闸管级和2台非线 行过程中其阀控功能可以实现其正反向保护,确保
性阀电抗器串联组成,因此每个阀是由78只晶闸管 可控硅阀的可靠运行。
级(3只冗余)和12台线性电抗器构成。
3 光可控硅阀正反向保护原理
光可控硅阀的电气设计要求阀内器件参数需要
满足各种运行工况下的电压应力与电流应力,包括 光可控硅阀在正常运行模式下可分为四个阶
满足冲击电压(如操作冲击、雷电冲击、陡波冲击) 段,其脉冲时序图如图l所示。
下的电压应力。 阶段1为触发准备就绪阶段。当晶闸管正向电
压检测条件满足时,VBE系统收到极控“FIRING
2 TVM板的功能分析
CONTROL
SIGNAL”信号后,产生一个触发脉冲,并
晶闸管电压监测板(TVM)是阀控系统中最重通过光发送回路送到晶闸管。当晶闸管两端电压再
要的一部分。TVM板主要
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