高阈值场发射屏蔽材料电性能实验研究 experiment on shielding material with high electron emission threshold.pdfVIP

第46卷第lo期 高压圣譬 v01．46No．10 2010年 10月HighVoltageApparatus Oct．2010 ·23· 高阈值场发射屏蔽材料电性能实验研究 伍友成1， 王 勐1， 杨 宇1， 耿力东1， 杨 剑2 (1．中国工程物理研究院流体物理研究所，四川绵阳621900；2．北京有色金属研究总院。北京100088) 摘妻：高域值场发射屏蔽材料为采用特殊工艺在不锈钢等金属材料表面覆盖一层绝缘薄膜．使金属表面的场致电子发射域值 提高，有效防止金属材料表面局部场强过高导致电击穿的现象发生。为了检验和测试该屏蔽材料的实际性能，设计了屏蔽材料 场发射域值的测试方案，采用电流测量方法判断经过屏蔽材料处理后的阴极头是否有电子发射，并通过阴极头的电压测试确 MV／100 定阴极头发射电子时的电压，通过数值模拟计算确定阴极头的发射域值。构建了实验测试平台，采用l kA电子加速器 作为高压脉冲功率源，以平面二极管作为负载，二极管阴极头为实验样品。实验中分别测试了普通不锈钢阴极头的场发射域值 和经过屏蔽材料处理后阴极头场发射域值，结果表明．普通不锈钢阴极头的场发射域值在450kV／cm附近，而经过特殊工艺处理 后的阴极头场发射域值在630kV／cm附近，场发射域值约提高40％。 关键词：电子发射；绝缘；屏蔽材料；电击穿；高压脉冲；二极管；阴极 中图分类号：TM89 文献标志码：A 文章编号：1001．1609(2010)10．0023-04 on Material、耐thElectronEmissionThreshold ExperimentShielding High WU Jian2 You—chen91，WANG Yul，GENG Men91，YANG Li—don91，YANG of (1．InstituteFluid 621900，China； Physics，CAEP，Mianyang 2．GeneralResearchInstituteforNonferrous Metals，Beijing100088，China) witIl isakindof film．which onthesurfaceof Abstract：Thematerial electronemissionthreshold dielectric is shielding high planted metal method．ItC；u-Ienhanceelectronemissionthresholdofthemetal’Ssurfaceinorderto byspecial highvoltagepulse prevent breakdown．Forthe of of onthe materialismade．