高质量inas单晶材料的制备及其性质 growth and properties of high quality inas single crystals.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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高质量inas单晶材料的制备及其性质 growth and properties of high quality inas single crystals.pdf

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高质量inas单晶材料的制备及其性质 growth and properties of high quality inas single crystals

第卷第期半导体学报 Z7 8 VO1.Z7 NO.8 年月 Z006 8 CHINESEJOURNAL OF SEMICONDUCTORS Au . Z006 g 高质量InAs单晶材料的制备及其性质 T 赵有文孙文荣段满龙董志远杨子祥吕旭如王应利中国科学院半导体研究所北京 100083 摘要!利用液封直拉法生长了直径和晶向的单晶分析研究了型杂质和 LEC 50mm 100 111 InAS . n Sn S p 型杂质的分凝特性晶格硬化作用掺杂效率等利用射线双晶衍射分析了晶体的完整性对晶片 Zn Mn . X . InAS 的抛光化学腐蚀和清洗进行了分析在此基础上实现了抛光晶片的开盒即用 EPI-READY . 关键词!砷化铟掺杂抛光 = PACC 6110C 8160 71Z0 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! # TN304.Z A 0Z53-4177 Z006 08-1391-05 对晶片的抛光技术表面损伤以及清洗技术进行了 l 引言分析. 以单晶为衬底可以生长 / 实验 IHAS IHASSb IH- 2 ASPSb IHNASSb 等异质结材料制作波长 Z 14 m