高阻衬底集成电路抗闩锁效应研究 research on latch up immunity in ic of high resistance substrate.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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高阻衬底集成电路抗闩锁效应研究 research on latch up immunity in ic of high resistance substrate.pdf

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高阻衬底集成电路抗闩锁效应研究 research on latch up immunity in ic of high resistance substrate

高阻衬底集成电路抗闩锁效应研究程东方，张铮栋，吕洪涛 (上海大学微电子研发中心，新型显示技术及应用集成教育部重点实验室，上海200072) 摘要：研究用增加多子保护环的方法抑制功率集成电路的闩锁效应，首次给出环距、环宽设计与寄生闩锁触发阈值的数量关系，并比较了不同结深的工序作为多子环的效果。对于确定的设计规则，还比较了不同电阻率衬底材料的CMOS单元中的闩锁效应，结果表明合理设计可以有效地改善高阻衬底的寄生闩锁效应，仿真结果验证了正确性。关键词：闩锁效应；多子保护环；高阻衬底中图分类号：TN405文献标识码：A ResearchonLatch inICof ResistanceSubstrate upImmunityHi．gh Dongfang，ZhangZhengdong，LttHongtao Cheng RD Center，ShanghaiUni抛rsity， (研Lab．ofAdvanced脚研andSystemApplications。Microelectronics 200072，China) Shanghai Abstract：Acarrier wasusedto Latch in IC．Therelation majority guarding improveupimmunitypower betweenthelocationandwidthofthe andthe were the ofthat guarding triggeringvoltageproposed，andefficiency useddifferent as coxrier were afLxed latch in compared．Torule，the phenomena processesmajority guarding up werealso resultsshowthatreasonablecan CMOSdevicesofdifferentresistanceSimaterials comp甜ed．The design latch in resistance is insimulations． substrate，the improveupinmmityhigh validityproved words：latch carrier resistancesubstrate Key up；majorityguarding；high EEACC：2560R 工艺软件仿真，其效果得到了验证。 0’引言 1高压功率集成电路中闩锁效应的分析在中小功率智能集成电路研发中，为了缩小整机系统的体积、能耗，降低成本，提高电路性能和在许多功率集成电路中，使用的基本电路结构可靠性，较普遍地采用高压功率晶体管和低压微功如图1所示。整个结构分为三部分：左边是低压耗控制电路的单片集成方案[1】，其