电子材料的x射线衍射分析-电子科技大学电子信息材料与器件国家级.ppt

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电子材料的x射线衍射分析-电子科技大学电子信息材料与器件国家级

主要内容 实验要求 衍射原理与衍射空间 实验平台简介 平行光路系统 高分辨光路系统中硅单色器的调整 薄膜X射线衍射的重要性 (1)X射线衍射分析对于异质外延生长薄膜材料的研究很重要,因为它不但可以提供物相信息,同时还可以提供点阵常数、微结构、应变等信息。加强X射线衍射和薄膜材料科学的学科交差,会产生巨大的经济社会效益 。 (2)薄膜是现代电子学器件的基础 。世界各国广大研究者投入了大量的资金和人力进行研究,渴望实现薄膜材料的实用化。 (3)本实验重点包括了电子薄膜结构X射线表征实例。 薄膜X射线衍射常用方法 (1) ω/2θ扫描 ω/2θ扫描所获得的曲线称为回摆曲线(又称摆动曲线)。 X射线衍射应用 物相分析基本原理 样品中影响衍射结果的因素 物相分析 基本测量原理 一、进行了两种不同的扫描测量: (i) 分别在0°和180°两个方位角,垂直表面方向对GaN(0002)衍射面进行常规的ω/2θ扫描; (ii) 非对称模式下分别在0°和180°两个不同方位角处对GaN外延膜的(10-12)衍射面进行ω/2θ扫描; 二 、以衬底峰位为参考,测量两者之间的平均峰位差,从而得到外延膜峰位。 θ epi =θBsub -△ω △ω = (△ω0+ △ω180)/2 GaN点阵常数的结果分析 SiGe/Si外延膜应变分析 SiGe/Si外延膜应变测量原理 X射线综合分析软件 液相外延单晶钇铁石榴石薄膜晶格匹配度分析 常规X射线方法很难得到的微应变信息 常规X射线方法很难得到的超晶格信息 实验结论 电子材料X射线衍射实验方法及应用 电子信息材料与器件实验中心 材料分析基础 电子材料的X射线衍射分析 指导教师:姬洪 实验要求 1 实验方法 2 应用实例 3 实验结论 4 (1)掌握X射线衍射法的基本原理及实验技术。 (2)懂得PDF卡片的使用方法,学会根据X射线衍射图,分析样品的物相组成。 (3)了解X射线衍射在薄膜分析的主要应用,了解X射线衍射仪的基本结构和操作方法。 衍射点的分布坐标 衍射空间的衍射原理 布拉格定律2dsinθ=nλ X射线衍射仪是人类智慧与科技的结晶,是工业化的产物,属现代大型精密仪器。随着薄膜材料的快速发展,X射线衍射设备已成为从事这方面研究的工作者必不可少的工具。 本实验使用了英国Bede D1型四圆X射线衍射仪 本实验使用平行光路系统,测量数据不受薄膜样品表面形状的影响,可以高效地获得薄膜样品的成分变化所引起结构变化信息。 0. 154059 nm 0. 154443 nm Kα1 Kα2 Kα 铜 靶 X 射 线 本实验选择Kα1辐射(而去除Kα2辐射)来分析薄膜样品 硅单色器的调整要注意尽量保持CuKα1和CuKα2两条谱线明显分离。 硅单色器 (2) ω扫描 ω扫描所获得的曲线称为材料的摇摆曲线,该曲线的半峰宽(FWHM)是衡量其晶体质量的重要参数。 (4) 倒易点近区的倒易空间mapping(Δω~Δθ mapping) (3)φ扫描 根据所测衍射峰定位ω、2θ和χ角,以样品 表面法线 方向为轴旋转样品,一般的角度范围是0°-360°。 硅粉末衍射卡片 需对衍射图进行“译码” 样品形状 衍射的 数据 晶粒尺寸 样品大小 吸收作用 样品位置 晶粒取向 衍射数据的质量,特别是衍射极大的位置(峰位),衍射峰的强度和形状受样品许多因素的影响,其中包括样品本身的大小及形状、样品的位置、晶粒尺寸、晶粒的取向以及吸收作用等。 024 52.550 52.533 030 68.200 68.222 113 43.360 43.362 124 66.550 66.586 110 37.780 37.810 018 61.340 61.290 104 35.130 35.

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