太阳能电池用硅片粗糙度及切割线痕检测方法送审稿.DOCVIP

中华人民共和国国家标准 GB/T XXXXX—201X 太阳能电池用硅片粗糙度及切割线痕检测方法 Measurement methods of surface roughness and saw mark for Si wafers for photovoltaic solar cells (审定稿) 2012年11月16日 201X—XX—XX发布 201X—XX—XX实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 前 言 本标准是按照GB/T1.1-2009给出的规则起草的。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）归口。 本标准起草单位：瑟米莱伯贸易（上海）有限公司 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 有研半导体材料股份有限公司 特变电工新疆新能源股份有限公司 洛阳鸿泰半导体有限公司 连云港国家硅材料深加工产品质量监督检验中心 本标准主要起草人：徐自亮 任皓 陈佳洵 李锐 孙燕 熊金杰 蒋建国 王丽华 薛抗美 黃黎 太阳能电池用硅片粗糙度及切割线痕检测方法 1 范围 本标准规定了太阳能电池用硅片（以下简称硅片）的表面粗糙度及切割线痕的检测方法为接触式或非接触式轮廓法。 本标准采用接触式或非接触式轮廓法检测表面粗糙度及切割线痕，适用于通过线切工艺加工生产的单晶和多晶硅片。如果需要适用于其他产品，则需要相关各方协商同意。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1031 产品几何技术规范（GPS） 表面结构 轮廓法 表面粗糙度参数及其数值 GB/T 3505 产品几何技术规范（GPS） 表面结构 轮廓法 表面结构的术语、定义及参数 GB/T 10610 产品几何技术规范（GPS） 表面结构 轮廓法 评定表面结构的规则和方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 18777 产品几何技术规范（GPS） 表面结构 轮廓法 相位修正滤波器的计量特性 GB/T 26071 太阳能电池用硅单晶切割片 GB/T XXXX 太阳能电池用多晶硅片 GB/T XXXX 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 GB/T XXXX 太阳能电池用硅片翘曲度和波纹测试方法 GB/Z 26958 产品几何技术规范（GPS） 滤波 ISO/TS 16949：2002 质量体系－汽车供应商－关于应用ISO 9001的特殊要求 3 术语和定义 GB/T 1031、GB/T 3505、GB/T 10610、GB/T 14264、GB/T 18777、GB/T 26071和GB/Z 26958界定的术语和定义适用于本标准。 4 方法提要 4.1 表面粗糙度 一般认为硅片表面粗糙度是硅片表面空域波长小于0.5mm的硅片表面变化，测量采用各种接触式或非接触式技术的探头，在硅片表面最粗糙的单个或多个区域，或者某些规定的区域，沿一定的扫描路径进行扫描，得到硅片表面轮廓，进一步提取出粗糙度轮廓，最后计算出硅片表面粗糙度值。 4.1.1表征硅片表面粗糙度的参数推荐使用粗糙度轮廓算术平均偏差Ra、粗糙度轮廓最大高度Rz、粗糙度轮廓均方根Rsq、粗糙度轮廓单元平均宽度RSm。如有必要也可采用其他参数。更详细的信息请参阅GB/T 1031、GB/T 3505、GB/T 10610、GB/T 18777、GB/T 26071、GB/T XXXX硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法和GB/T XXXX太阳能电池用硅片翘曲度和波纹测试方法（注：有标准号后标准名称删除）； 4.1.2 采用各种接触式、非接触式光学法或其他非接触式技术测量得到硅片表面轮廓，然后应用合适的滤波器以及合适的滤波参数设置，从硅片表面轮廓中提取出硅片表面粗糙度轮廓，再依据一定的计算方法计算出硅片表面粗糙度。推荐使用非接触式光学法测量硅片表面粗糙度； 4.1.3 测量硅片表面粗糙度时，先用肉眼观察硅片表面的粗糙程度，选取最粗糙的区域进行测量；如果硅片表面有多个区域比其他区域粗糙，但在这多个区域中无法找出最粗糙的区域，则应该对此多个区域进行测量；如果硅片表面粗糙程度很均匀，肉眼无法识别出表面最粗糙的区域或者相对更粗糙的数个区域，则按照如图1中规定的区域进行检测，具体的位置坐标列在表1中，其中a为硅片的尺寸规格； 单个区域 5区域A 5区域B 9区域 图1：硅片表面粗糙度测量区域位置示意图 4.1.4 对于线切割硅片而言，粗糙度主要源于线切工艺的工艺条件及其稳定性，因此在测量线切割硅片表面粗糙度时，如果无法判定线切工艺的走线方