掺杂偶氮苯聚合物光致异构Z扫描测量及其理论解释3 - SFSU Physics.PDFVIP

第 53 卷 第 10 期 2004 年 10 月 物 　理 　学 　报 Vol. 53 ,No. 10 ,October ,2004 ( ) 10003290200453 10 359605 ACTA PHYSICA SINICA 2004 Chin. Phys. Soc. 掺杂偶氮苯聚合物光致异构 Z 扫描测量及其理论解释 梁检初1) 　王晓生1) 　罗锻斌1) 　佘卫龙1) 　吴水珠2) 　曾 　钫2) 　唐 　天2) 　姚胜兰2) 1) ( 中山大学光电材料与技术国家重点实验室, 广州　510275) 2) (华南理工大学材料学院高分子系 , 广州　510640) ( ) 2003 年 10 月 13 日收到;2004 年 2 月 18 日收到修改稿 　　用 He-Ne 激光对掺有偶氮苯聚合物 DR13 的 PMMA 薄膜样品进行 Z 扫描研究 ,发现其折射率改变量与光强的 关系存在着饱和效应 ,且线偏振光引起的折射率改变明显大于圆偏振光引起的折射率改变. 对于这些现象 ,用光致 异构的角烧孔机理进行解释. 关键词 : Z 扫描 , 偶氮苯聚合物 , 光致异构 , 角烧孔 PACC : 7865T , 4270J , 4285F 而不是热效应. 他们用光致异构的一个简化模型 ( ) [16 ,17 ] 1 引 言 ———“角烧孔”AHB 来解释由光致异构引起的 折射率改变[18 ] ,其理论与实验符合得较好. 但该文 Z 扫描[1 ,2 ] 是一种测量非线性光学系数的方法 , 中没有考虑 cis 态 →trans 态的光致异构过程 , 也就 已广泛应用于光 Kerr 效应、可饱和克尔效应、光折 不能反映可饱和效应 ,且仅考虑线偏振光的情况而 变效应等的非线性折射率系数的测量[1 —4 ] . 本文把 没有考虑圆偏振光的情况. 本实验中所用的样品与 Z 扫描技术应用于对偶氮苯聚合物光致异构引起的 文献[13 ,18 ] 中的样品类似 ,于是我们基于光致异构 折射率改变的测量和研究. ( 的角烧孔机理 考虑了 cis 态 →trans 态的光致异构 偶氮苯聚合物是一种很重要的有机光学材料 , ) 过程 ,分别对激发光为线偏振光和圆偏振光的情况 几十年来它一直是研究的热点. 人们已发现偶氮苯 进行分析 ,所得理论结果能对 Z 扫描实验现象进行 聚合物有着许多独特而重要的光化学性质和非线性 较好的解释. 光学性质[5 —7 ] . 在波长处于聚合物的吸收带内的光 的作用下偶氮苯聚合物会发生光致异构[8 —12 ] . 而光 2 实验现象 致异构