.半导体硅材料的电火花加工技术研究.pdf

设计·研究 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　《电加工与模具》2004 年第 1 期 半导体硅材料的电火花加工技术研究 王振龙 　夏良俊 　赵万生 ( 哈尔滨工业大学机电工程学院 ,黑龙江哈尔滨 150001) 　　摘要 : 从硅材料的物理性能出发 ,分析其微细电火花加工的可行性。对未掺杂单晶硅和掺杂 N 型硅进行了电火花加工工艺试验 ,得出了掺杂 N 型硅有很好的微细电火花加工性能的结论。硅 材料在电火花加工机理上除了熔化与汽化外 ,还有比较明显的热剥蚀作用。因此提高硅表面加工 质量 ,必须将单脉冲放电能量控制得尽可能的低。 关键词 : 电火花加工;硅 ;微三维结构 　　半导体材料硅在微观尺度上所显示出的一系列 列 ,但不同局部区域之间原子的排列方向并不相同。 优异性能 , 奠定了其在微型机械制造中的主导地 因此 ,多晶体也可看作是由许多取向不同的小单晶 位 ,其加工技术在 MEMS 中起着举足轻重的作用。 体组成的[4 ] 。 而在当前 ,几乎所有的硅微零件的制造都是采用微 硅在元素周期表中属于 ⅣA 族 , 原子序数为 电子的生产技术,如蚀刻、沉积、影印光刻等 ,加工技 14 , 原子量为 28. 085 5 , 核外电子的排布为 术的重点主要放在平面微观结构上。随着人类社会 2 2 6 2 2 ( 1s 2s 2p 3s 3p ,化合价表现为四价或二价 四价化 对微型机械需求的日益迫切 ,可以想象未来微机械 ) 合物为稳定型 。因为晶体硅的每个硅原子与另外 的发展水平在很大程度上将取决于微小三维器件的 4 个硅原子形成共价键 ,其 Si Si 健长为 2. 35 A ,成 成功制作与性能集成上。开发能制造出具有大深宽 为正四面体型结构 ,与金刚石结构相近 ,所以硅的硬 比和真三维结构的实用的加工技术已经成为 度大 ,熔点、沸点高。单晶硅具有优良的机械物理性 MEMS 技术的重要研究方向。 质 ,其机械品质因数可高达 106 数量级 ,滞后和蠕变 为了满足这种需求 ,人们对多种新颖的具有挑 极小 ,几乎为零 ,机械稳定性好。硅材料的质量轻 , 战性的微细加工技术进行了广泛的研究[1 ] 。电火 密度为不锈钢的 1/ 3 ,而弯曲强度却为不锈钢的 3. 5 花加工是利用工件和工具电极之间的脉冲性火花放 倍 ,它具有高的强度密度比和高的刚度密度比。是 电,产生瞬间高温使工件材料局部熔化或汽化 ,从而 一种十分优良的 MEMS 材料。 达到加工的目的[2 ] 。它是一种与晶向无关的、非接 硅的导电性 : 根据能带理论[5 ] , 晶体中并非所 触、宏观加工力很小的加工方式。近年来 ,微细电火 有电子或价电子参与导电 ,而只有导带中的电子或 花加工技术的加工范围日益拓宽、加工尺度也日趋 价带顶部的空穴才能参与导电。由于半导体禁带宽 微细 ,在微三维结构制作方面显示出了极大的潜力。 度小于 2 ev , 电子和空穴浓度都很低, 因此半导体 ( ) 1 　硅的物理性能 电阻率非常高 ,在室温状态 300 K 硅的