华科_工程材料学02_材料的结构.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 思考题：面心立方中的密排面和密排方向？ 面心立方中原子排列 第四节 材料的实际晶体结构 一、多晶体结构 单晶体: 一块晶体材料，其内部的晶体位向完全一致时，即整个材料是一个晶体，这块晶体就称之为“单晶体”，实用材料中如半导体集成电路用的单晶硅、专门制造的晶须和其他一些供研究用的材料。 单晶硅太阳能电池 多晶体: 实际应用的工程材料中，那怕是一块尺寸很小材料，绝大多数包含着许许多多的小晶体，每个小晶体的内部，晶格位向是均匀一致的，而各个小晶体之间，彼此的位向却不相同。称这种由多个小晶体组成的晶体结构称之为“多晶体”。 材料的实际晶体结构 晶粒：多晶体材料中每个小晶体的外形多为不规则的颗粒状，通常把它们叫做“晶粒”。 晶界：晶粒与晶粒之间的分界面叫“晶粒间界”，或简称“晶界”。为了适应两晶粒间不同晶格位向的过渡，在晶界处的原子排列总是不规则的。 材料的实际晶体结构 二、多晶体的组织与性能： 伪各向同性：多晶体材料中，尽管每个晶粒内部象单晶体那样呈现各向异性，每个晶粒在空间取向是随机分布，大量晶粒的综合作用，整个材料宏观上不出现各向异性，这个现象称为多晶体的伪各向同性。 组织 ：（如图） 性能： 组织敏感的性能 组织不敏感的性能 材料的实际晶体结构 三、晶体中的缺陷概论 晶体缺陷：即使在每个晶粒的内部，也并不完全象晶体学中论述的(理想晶体)那样，原子完全呈现周期性的规则重复的排列。把实际晶体中原子排列与理想晶体的差别称为晶体缺陷。晶体中的缺陷的数量相当大，但因原子的数量很多，在晶体中占有的比例还是很少，材料总体具有晶体的相关性能特点，而缺陷的数量将给材料的性能带来巨大的影响。 材料的实际晶体结构 三、晶体中的缺陷概论 晶体缺陷按范围分类： 点缺陷 在三维空间各方向上尺寸都很小，在原子尺寸大小的晶体缺陷。 线缺陷 在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶粒数量级)，另外两个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。其具体形式就是晶体中的位错Dislocation 面缺陷 在三维空间的两个方向上的尺寸很大(晶粒数量级)，另外一个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。 材料的实际晶体结构 点缺陷 点缺陷：在三维空间各方向上尺寸都很小，在原子尺寸大小的晶体缺陷。 一、点缺陷的类型 ： 空位 在晶格结点位置应有原子的地方空缺，这种缺陷称为“空位”。 间隙原子 在晶格非结点位置，往往是晶格的间隙，出现了多余的原子。它们可能是同类原子，也可能是异类原子。 异类(置换）原子 在一种类型的原子组成的晶格中，不同种类的原子替换原有的原子占有其应有的位置。 一、热缺陷 正常格点上的原子由于热振动的能量起伏，部分会离开正常位置。热缺陷是材料固有的缺陷，是本征缺陷的主要形式。可分为弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷。 二、杂质缺陷 外来杂质原子进入晶体会造成缺陷并可能会形成固溶体。固溶体是一种“固态溶液”，它可看成是杂质（溶质）在主晶体（溶剂或称为基质）中溶解的产物。 三、非化学计量缺陷 非化学计量化合物的晶格结点中带有空位，或含有处于间隙位置的填隙原（离）子，存在着缺陷，在组成和结构两方面显示出非化学计量的特征；而热缺陷并不会造成组成的改变。 四、电子缺陷和带电缺陷 实际晶体中，导带中有电子，价带中有电子空穴。电子和空穴也是一种缺陷，总称为电子缺陷。过剩电子或空穴被束缚在缺陷位置上，形成一个附加电场，引起晶体中周期性势场畸变，所以称它们为带电缺陷。 点缺陷 点缺陷产生的原因： 二、点缺陷对材料性能的影响 原因：无论那种点缺陷的存在，都会使其附近的原子稍微偏离原结点位置才能平衡，即造成小区域的晶格畸变。 效果 提高材料的电阻 定向流动的电子在点缺陷处受到非平衡力(陷阱)，增加了阻力，加速运动提高局部温度(发热)。 加快原子的扩散迁移 空位可作为原子运动的周转站。 形成其他晶体缺陷 过饱和的空位可集中形成内部的空洞，集中一片的塌陷形成位错。 改变材料的力学性能 空位移动到位错处可造成刃位错的攀移，间隙原子和异类原子的存在会增加位错的运动阻力。会使强度提高，塑性下降。 点缺陷 线缺陷：在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶粒数量级)，另外两个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。其具体形式就是晶体中的位错Dislocation 位错的形式 ： 刃型位错 螺型位错 混合型位错 线缺陷 位错的密度 ：位错密度ρ是描述晶体中位错的数量，用单位体积位错线的总长度表示。在金属材料中，退火状态下，按一般平衡状态所得到的材料，位错的密度常在106的数量