六个存储器EM实验答案.docVIP

存储器EM实验实验目的1、了解存储器设备MM2、使用小键区进行存储图1 EM原理图存储器EM 由一片6116RAM 构成，通过一片74HC245 与数据总线相连。存储器EM 的地址可选择由PC或MAR提供。存储器EM 的数据输出直接接到指令总线IBUS，指令总线IBUS 的数据还可以来自一片74HC245。当ICOE为0 时，这片74HC245 输出中断指令B8。连接线表连接信号孔接入孔作用有效电平1J2座J3座将K23-K16接入DBUS[7:0]2IRENK6IR,uPC写允许低电平有效3PCOEK5PC输出地址低电平有效4MAROEK4MAR输出地址低电平有效5MARENK3MAR写允许低电平有效6EMENK2存储器与数据总线相连低电平有效7EMRDK1存储器读允许低电平有效8EMWRK0存储器写允许低电平有效9PCCKCLOCKPC工作脉冲上升沿打入10MARCKCLOCKMAR工作脉冲上升沿打入11EMCKCLOCK写脉冲上升沿打入12IRCKCLOCKIR,uPC工作脉冲上升沿打入实验1：PC/MAR 输出地址选择置控制信号为：K5(PCOE)K4(MAROE)地址总线红色地址输出指示灯01PC输出地址PC地址输出指示灯亮10MAR输出地址MAR地址输出指示灯亮11地址总线浮空00错误, PC及MAR同时输出PC及MAR地址输出指示灯亮以下存贮器EM实验均由MAR提供地址实验2：存储器EM 写实验将地址0 写入MAR二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据00HK23K22K21K20K19K18K17K1600000000置控制信号为：K6(IREN)K5(PCOE)K4(MAROE)K3(MAREN)K2(EMEN)K1(EMRD)K0(EMWR)1110111按CLOCK键, 将地址0 写入MAR将地址11H写入EM[0]二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据11HK23K22K21K20K19K18K17K1600010001置控制信号为：K6(IREN)K5(PCOE)K4(MAROE)K3(MAREN)K2(EMEN)K1(EMRD)K0(EMWR)1101010按CLOCK键, 将地址11H写入EM[0]将地址1 写入MAR二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据01HK23K22K21K20K19K18K17K1600000001置控制信号为：K6(IREN)K5(PCOE)K4(MAROE)K3(MAREN)K2(EMEN)K1(EMRD)K0(EMWR)1110111按CLOCK键, 将地址1 写入MAR将地址22H写入EM[1]二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据22HK23K22K21K20K19K18K17K1600100010置控制信号为：K6(IREN)K5(PCOE)K4(MAROE)K3(MAREN)K2(EMEN)K1(EMRD)K0(EMWR)1101010按CLOCK键, 将地址22H写入EM[1]实验3：存储器EM 读实验将地址0 写入MAR二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据00HK23K22K21K20K19K18K17K1600000000置控制信号为：K6(IREN)K5(PCOE)K4(MAROE)K3(MAREN)K2(EMEN)K1(EMRD)K0(EMWR)1110111按CLOCK键, 将地址0 写入MAR读EM[0]置控制信号为：K6(IREN)K5(PCOE)K4(MAROE)K3(MAREN)K2(EMEN)K1(EMRD)K0(EMWR)1101101EM[0]被读出: 11H将地址1 写入MAR二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据01HK23K22K21K20K19K18K17K1600000001置控制信号为：K6(IREN)K5(PCOE)K4(MAROE)K3(MAREN)K2(EMEN)K1(EMRD)K0(EMWR)1110111按CLOCK键, 将地址0 写入MAR读EM[1]置控制信号为：K6(IREN)K5(PCOE)K4(MAROE)K3(MAREN)K2(EMEN)K1(EMRD)K0(EMWR)1101101EM[1]被读出: 22H实验3：使用实验仪小键盘输入EM1．连接J1, J22．打开电源3．按TAB键, 选择EM4．输入两位地址, 005．按NEXT, 进入程序修改6．按两位程序数据7．按NEXT选择下个地址/按LAST选择上个地址8．重复6,7 步输入程序9．按RESET结束问题：1、写入存储器操作步骤一：将地址0写入MARMAREN←0正脉冲步骤二：将数据