51单片机与ds18b20程序.doc

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51单片机与ds18b20程序

#include reg52.h #include intrins.h #define uchar unsigned char #define uint unsigned int sbit DQ = P2^2; //数据口define interface sbit dula = P2^6; //数码管段选 sbit wela = P2^7; //数码管位选 uint temp; //温度值 variable of temperature //不带小数点 unsigned char code table[] = {0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d, 0x07,0x7f,0x6f,0x77,0x7c,0x39,0x5e,0x79,0x71}; //带小数点 unsigned char code table1[] = {0xbf,0x86,0xdb,0xcf,0xe6,0xed,0xfd,0x87,0xff,0xef}; /*************精确延时函数*****************/ void delay(unsigned char i) { while(--i); } /****************************************** 此延时函数针对的是12Mhz的晶振 delay(0):延时518us 误差:518-2*256=6 delay(1):延时7us (原帖写5us是错的) delay(10):延时25us 误差:25-20=5 delay(20):延时45us 误差:45-40=5 delay(100):延时205us 误差:205-200=5 delay(200):延时405us 误差:405-400=5 *******************************************/ /*****************DS18B20******************/ void Init_Ds18b20(void) //DS18B20初始化send reset and initialization command { DQ = 1; //DQ复位,不要也可行。 delay(1); //稍做延时 DQ = 0; //单片机拉低总线 delay(250); //精确延时,维持至少480us DQ = 1; //释放总线,即拉高了总线 delay(100); //此处延时有足够,确保能让DS18B20发出存在脉冲。 } uchar Read_One_Byte() //读取一个字节的数据read a byte date //读数据时,数据以字节的最低有效位先从总线移出 { uchar i = 0; uchar dat = 0; for(i=8;i0;i--) { DQ = 0; //将总线拉低,要在1us之后释放总线 //单片机要在此下降沿后的15us内读数据才会有效。 _nop_(); //至少维持了1us,表示读时序开始 dat = 1; //让从总线上读到的位数据,依次从高位移动到低位。 DQ = 1; //释放总线,此后DS18B20会控制总线,把数据传输到总线上 delay(1); //延时7us,此处参照推荐的读时序图,尽量把控制器采样时间放到读时序后的15us内的最后部分 if(DQ) //控制器进行采样 { dat |= 0x80; //若总线为1,即DQ为1,那就把dat的最高位置1;若为0,则不进行处理,保持为0 } delay(10); //此延时不能少,确保读时序的长度60us。 } return (dat); } void Write_One_Byte

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