无定形纳米晶核设计.docVIP

非晶、纳米晶磁心选型设计 Design for selecting amorphous and nanocrystalline core type Http:// 2004年07月28日 10:381引言 本文介绍用于磁放大器、尖峰抑制器、滤波电感、有源PFC 电感等器件采用的非晶、纳米晶磁心的选型设计。 2电压调节器中磁放大器磁心选型设计 2.1磁心选型设计 a、已知条件：输出电压V0、输出电流I0、工作频率F、占空比Dmax。 b、决定变压器的次级电压（以单端正激电路为例） Vi≥{V0（1+KC）+VF}/Dmin （1） Vi：变压器次级电压，KC：富裕系数或称调节余量（通常取0.2），VF：整流二极管压降，Dmin：最小占空比（发生在输入电压最大时），V0：要求的输出电压。 c、决定被砍掉的电压（被调节的电压）Vreg Vreg= Vi×Dmax- V0= V1 - V0 （2） 式中V1=Vi×Dmax。 d、计算磁心所需的磁通量△φ ∵V0= Vi×Dmax-V砍= Vi×Dmax- Vreg = Vi×(ton/T)-Vi×(tτ/T) ∴Vreg= Vi×tτ/T 由电磁定律知Vi×tτ=△φ ∴Vreg×T=Vi×tτ=△φ 写成△φ= Vreg/F （3） 最后得到被砍掉电压折算成磁通量的式子，即电路调节中所需磁通量为△φ。 ∵磁心的单匝磁通量为2φm（有时简称φm）今设计磁通量为△φ，则总有一个N存在使： N×φ≥△φ （4） e、选择磁心的尺寸 （1）先选择内径 设磁心的窗口面积为Wa。其中的一部分面积是由导线的截面积充填占据。充填系数用Kf表示，也叫有用系数，Kf常取0.4。就有Wa×Kf=所绕N条导线的截面积。 已知输出电流为I0，导线的电流密度为J，则一条导线所占面积为I0/J。设绕了N匝，则Wa×Kf=N×I0/J，写成： Wa= N×I0/J× Kf （5） 式(4)决定了磁心的内径.因为一个确定的窗口面积Wa，必有一个确定的磁心内径与之对应。公式(5)是用电流I0等已知参数计算出了窗口面积Wa。从而选定了磁心内径。 （2）选择外径 由式（5）已知Wa= N×I0/(J× Kf) 当Kf=0.4，J=6A/mm2时，Wa=N×I0/2.4 将此式左边乘以Nφm,右边乘以△φ（∵N×φm=△φ），则有N×φm×Wa=△φ×N×I0/ (Kf× J)，两边约去N得： φm×Wa＝△φ×I0/ (Kf ×J) (6) 而△φ×I0/ (Kf×J)是电路设计时计算出来的。一款磁心其φm×Wa的值使（6）式成立。则外径也选定了。 由于φm=B×Ae Ae 是磁心的有效截面积。 Ae= (外径－内径)/2×h×K（K称充填系数，通常在0.7-0.8之间），h是磁心高度。 当Wa确定后，内径也就确定了。 于是Ae只与外径和磁心高度有关了。 当h选定后，一个确定的Ae 就有一个确定的外径。 这样由△φ×I0/ (Kf×J)的计算值就确定了磁心的尺寸。 f、决定匝数N 先求最小匝数Nmin 由式（3）知N×φm≥△φ。式中的φm是由(3)式计算出来的最小磁通量。或N≥△φmin/φm，则： Nmin=△φmin/φm(取整数) (7) 现在求Nmax ∵式（4）中的△φ=Vreg/F或V砍/F 而Vreg=V砍=V1-V0=VS×Dmax－V0，(式中V1为最大输出电压)，得V0= VS×Dmax－V砍 当V砍= VS×Dmax时，V0=0，即是说磁心的调节作用最多只能把VS×Dmax这个电压砍掉，此时的△φmax=V砍 max/F=VS×Dmax/F φmax= VS×Dmax/F= V1/F (8) 此时Nmax=△φmax/φm (9) g、决定导线直径D 设绕线采用单股则导线截面积Aw=I0/J 由I0计算出的导线截面积Aw=I0/J0 由导线直径计算出的截面积Aw=Dπ2/4 两个截面积应相等，得到Dπ2/4=I0/J ，D=√（4I0/πJ） 设J=6 A/mm2,则d=0.46√ I0 h、计算死角 当正向电流来到时，我们希望磁心立即饱和，但这办不到，只有当正向电流到达一定值，H=HS时磁心才饱和或者说只有当磁心的B值从Br到达Bm 时，才能饱和，从Br到Bm差（1-Br/Bm）到达Bm，磁通量差φm×（1-Br/BM）到达φm，N匝线圈就差N×φm×（1-Br/BM）到达Nφm，当变压器次级电压为Vi时，则Nφm×（1-Br/BM）=Vi*td 注意N×φm×（1-Br/BM）也是一个磁通量，它等于电压和时间的乘积，变换上式得到： td= Nφm×（1-Br/Bm