组成原理记忆实验.docVIP

实验四 存储器实验 一、实验目的 初步了存储器EM的工作原理。 掌握存储器EM的操作步骤。 二、实验要求 利用COP2000实验仪上的K16..K23开关做为DBUS的数据，其它开关做为控制信号，将地址数据写入存储器EM中，并读出。 三、实验说明 EM原理图 存储器EM由一片6116RAM构成，通过一片74HC245与数据总线相连。存储器EM的地址可选择由PC或MAR提供。 存储器EM的数据输出直接接到指令总线IBUS，指令总线IBUS的数据还可以来自一片74HC245。当ICOE为0时，这片74HC245输出中断指令B8。 连接线表： 连接 信号孔 接入孔 作用 有效电平 1 J2座 J3座 将K23-K16接入DBUS[7:0] 2 IREN K6 IR, uPC写允许 低电平有效 3 PCOE K5 PC输出地址 低电平有效 4 MAROE K4 MAR输出地址 低电平有效 5 MAREN K3 MAR写允许 低电平有效 6 EMEN K2 存储器与数据总线相连 低电平有效 7 EMRD K1 存储器读允许 低电平有效 8 EMWR K0 存储器写允许 低电平有效 9 PCCK CLOCK PC工作脉冲 上升沿打入 10 MARCK CLOCK MAR工作脉冲 上升沿打入 11 EMCK CLOCK 写脉冲 上升沿打入 12 IRCK CLOCK IR, uPC工作脉冲 上升沿打入 实验1：PC/MAR输出地址选择 置控制信号为： K5 (PCOE) K4 (MAROE) 地址总线 红色地址输出指示灯 0 1 PC输出地址 PC地址输出指示灯亮 1 0 MAR输出地址 MAR地址输出指示灯亮 1 1 地址总线浮空 0 0 错误, PC及MAR同时输出 PC及MAR地址输出指示灯亮 以下存贮器EM实验均由MAR提供地址 实验2：存储器EM写实验 （1）将地址0写入MAR 二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据00H K23 K22 K21 K20 K19 K18 K17 K16 0 0 0 0 0 0 0 0 置控制信号为： K6 (IREN) K5 (PCOE) K4 (MAROE) K3 (MAREN) K2 (EMEN) K1 (EMRD) K0 (EMWR) 1 1 1 0 1 1 1 按CLOCK键, 将地址0写入MAR （2）将地址77H写入EM[0] 二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据77H K23 K22 K21 K20 K19 K18 K17 K16 0 1 1 1 0 1 1 1 置控制信号为： K6 (IREN) K5 (PCOE) K4 (MAROE) K3 (MAREN) K2 (EMEN) K1 (EMRD) K0 (EMWR) 1 1 0 1 0 1 0 按CLOCK键, 将地址77H写入EM[0] （3）将地址1写入MAR 二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据01H K23 K22 K21 K20 K19 K18 K17 K16 0 0 0 0 0 0 0 1 置控制信号为： K6 (IREN) K5 (PCOE) K4 (MAROE) K3 (MAREN) K2 (EMEN) K1 (EMRD) K0 (EMWR) 1 1 1 0 1 1 1 （4）将地址03H写入EM[1] 二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据03H K23 K22 K21 K20 K19 K18 K17 K16 0 0 0 0 0 0 1 1 置控制信号为： K6 (IREN) K5 (PCOE) K4 (MAROE) K3 (MAREN) K2 (EMEN) K1 (EMRD) K0 (EMWR) 1 1 0 1 0 1 0 （5）将地址2写入MAR 二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据02H K23 K22 K21 K20 K19 K18 K17 K16 0 0 0 0 0 0 1 0 置控制信号为： K6 (IREN) K5 (PCOE) K4 (MAROE) K3 (MAREN) K2 (EMEN) K1 (EMRD) K0 (EMWR) 1 1 1 0 1 1 1 （6）将地址08H写入EM[2] 二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据08H K23 K22 K21 K20 K19 K18 K17 K16 0 0 0 0 1 0 0 0 置控制信号为： K6 (IREN) K5 (PCOE) K4 (MAROE) K3 (MAREN) K2 (EMEN) K1 (EMRD) K0 (EMWR) 1 1 0 1 0 1 0 （7）将地址3