第章+半导体器件和模型.ppt

第 一 章;1.1 半导体的导电特性; 1、本征半导体的结构与模型;本征半导体：;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键。;2、本征半导体的导电原理;3、本征半导体中载流子浓度;据理论分析和实验证明，有;1. 半导体中两种载流子;1.1.2 杂质半导体;在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成 N型半导体（电子型半导体）。 ;　　1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决定少数载流子的浓度。;1.1.3 半导体中的电流;1.2 PN结;内电场;1.2.2 PN结的导电特性;2、反向特性;结论;正偏;1.2.3 PN结的击穿特性?;雪崩击穿：;齐纳击穿：;击穿电压的温度特性：;PN结的温度特性;1.2.4 PN结的电容特性;1.2.5 二极管的结构和主要参数;2、二极管的V－I特性; 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流;1.3 二极管的等效模型及分析方法;3、二极管恒压降模型;4、折线模型;二极管特性曲线在Q点的斜率为;5、小信号模型; 1.3.2 二极管电路的分析方法;交流信号的图解;2、工程近似法;2）限幅电路;3）开关电路;4）低电压稳压电路;3、小信号等效分析法;1.3.3 特殊二极管;稳压管的主要参数;简单稳压电路;2、变容二极管;1.4 半导体三极管;2、基本结构和符号;PNP型;结构特点;3、三极管（放大电路）的三种组态;PNP 管： VBE0 VBC0 即VCVBVE;三极管的工作状态;1.4.2 三极管放大区的工作原理;三极管的电流分配关系;整理可得：;2）共基交流电流放大系数;1.4.3 三极管的伏安特性曲线;输出特性曲线;2、共发射极电路特性曲线;输出特性曲线;基区宽度调制效应导致曲线随vCE增加而上倾。输出特性曲线向左延伸交于一点，相应的电压VA称为厄尔利电压。;1.4.4 三极管的主要参数;极限参数;温度对三极管参数及特性的影响;三极管工作状态的判断;[例2]　某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。 IA＝-2mA,IB＝-0.04mA,IC＝+2.04mA,试判断管脚、管型。;例[3]：测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为： （1）U1=3.5V、U2=2.8V、　U3=12V （2）U1=6V、　U2=11.8V、　U3=12V 判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。;1.4.6 三极管的小信号模型;小信号的范围;忽略二次方及以上项可得:; 三极管放大工作时，在静态点上叠加交流小信号，三极管对交流信号具有线性传输特性，三极管可用线性有源网络来进行等效。此网络具有和三极管相同的端电压、电流关系，为三极管的小信号模型。;1、共发射极三极管混合π型模型的引入;小信号时可忽略高阶项，并利用;相对很小，可忽略。;考虑基区体电阻;2、混合π型参数与工作点电流的关系;1）三极管的跨导gm;2）发射结的结层电阻;3）集射电阻;4）集电结的结层电阻;5）基区体电阻;3、三极管的网络参数模型; 小信号下，考虑电压、电流之间的微变关系，对上面两式取全微分可得：;H参数的含义;2）共发组态的H参数模型;3、两种参数模型的比较;1.5 场效应管;场效应管的分类;1.5.1 MOS场效应管;N沟道的形成及导电过程;N＋;漏源电压对沟道的影响;输出特性;可变电阻区（非饱和区）;恒流区（饱和区）;截止区;UGS UT ，iD = 0；;2、耗尽型MOS场效应管;1.5.2 结型场效应管(JFET);2、 JFET的工作原理（以N沟道为例）;VGS对沟道的控制作用;0≤vGS≤ Vp时, vDS 对沟道的影响;小 结;2、JFET的特性曲线; 是vGS=0时， vGD= VP的饱和漏极电流;VGS;种 类;种 类;1.5.4 FET的等效模型;小信号等效电路;gm为场效应管的跨导，表示栅极电压对漏极电流的控制，反映了FET的放大能力。;1.5.5 FET的主要参数;FET与BJT的比较;7、MOS管工艺简单、功耗小、封装密度高，大量应用于集成电路；三极管增益高、非线性失真小、性能稳定，分立元件电路和中小规模集成电路中常采用。