基片温度对ni81fe19薄膜结构和各向异性磁电阻的影响 effects of substrate temperature on the structure and anisotropic magnetoresistance of ni81fe19 thin films.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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基片温度对ni81fe19薄膜结构和各向异性磁电阻的影响 effects of substrate temperature on the structure and anisotropic magnetoresistance of ni81fe19 thin films.pdf

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基片温度对ni81fe19薄膜结构和各向异性磁电阻的影响 effects of substrate temperature on the structure and anisotropic magnetoresistance of ni81fe19 thin films

基片温度对Ni8。Fel9薄膜结构和各向异性磁电阻的影响何建方，王书运，王存涛 (山东师范大学物理与电子科学学院，山东济南250014) 冲层厚度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影响。利用x射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向；用四探针法测量了薄膜的电阻率和各向异性磁电阻。结果表明，基片温度对薄膜的各向异性磁电阻及饱和场有显著影响，随着基片温度的升高，薄膜各向异性磁电阻随之增大，饱和场则相反。基片温度在400℃时制备的Ni8lFel9薄膜具有较大的各向异性磁电阻比和较低的磁化饱和场，薄膜最大各向异性磁电阻比为4．23％，最低磁化饱和场为 739．67A／m；随着缓冲层厚度的增加，坡莫合金薄膜的AMR值先变大后减小，在x=5nm时达到最大值．关键词：NiBlFel9薄膜；基片温度；结构；各向异性磁电阻；磁控溅射；缓冲层厚度中图分类号：0484．4+3 文献标识码：A 文章编号：1001．3830(2012)01-0020．04 Effectsofsubstrate onthestructureand temperature anisotropic of thinfilms NislFet9 magnetoresistance HE Cun-tao Shu-yun，WANG Jian—fang，WANG and Normal 250014,China CollegeofPhysicsElectronics．ShandongUniversity,Jinan Abstract：Aseries thinfilmswere ofTa(x)／NisfFel4100nm)／Ta(3nm、NislFel9magnetic preparedbymagnetron method。Effectsofsubstrate andbuffer thicknessonthestructureand spuRefing temperature layer anisotropic of thinfilmswere structureand wer@ orientation magnetoresistance(AMRlNislFelo investigated．11他filmgrain andAMRvalueof thinfilmsweremeasured analyzed diffraction；resistivity NisiFel9 byX-ray byFouPpointprobe resultsshowedthatsubstrate has effecton and technology．The temperaturesignificantanisotropicmagnetoresistance