基于0.25μm gaas phemt工艺的32ghz毫米波单片功率放大器 32ghz mmic power amplifier using 0.25μm gaas phemt.pdfVIP

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 27 12 Vol.27 No.12 年 月 9 2006 12 CHINESEJOURNAL OF SEMICONDUCTORS Dec. 2006 基于0.25 m GHASPHEMT工艺的32GHz ! 毫米波单片功率放大器 ! ! ! 1 2 1 2 1 1 1 1 T 顾建忠 张 健 喻筱静 钱 蓉 李凌云 孙晓玮 ( 中国科学院上海微系统与信息技术研究所9上海 ) 1 200050 ( 中国科学院研究生院9北京 ) 2 100049 摘要!设计\制造和测试了基于 0.25 m 栅长 GaAS工艺的 32GHZ 毫米波单片功率放大器 该功率放大器采用三. # 级放大9工作电压为 9工作电流为 带内最大小信号增益为 9在 具有 的饱和功率输 6V 600mA. 17.4dB 32GHZ 0.5W 出. 关键词C毫米波单片集成电路;功率放大器;赝配高电子迁移率晶体管 C C PACC 7340J EEACC 2560 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! # TN43 A 0253-4177 2006 12-2160-03 面积为 最后一级功率输出采用 个 2.6mm3mm. 4 1 引言 875 m 的功率管合成9在毫米波频段该晶体管仍 # 然能够提供足够高的增益和电流密度 为了满足小. 近年来9通信系统在微波和毫米波频段