基于ccd工艺的模型参数提取测试图形设计 design of testchip for model parameter extraction based on ccd process.pdfVIP

SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS Vo1 ． 32No．4 Aug． 2011 基于CCD工艺的模型参数提取测试图形设计 祝晓笑，石 念，杨 洪，翁雪涛 (重庆光电技术研 究所 。重庆 400060) 摘 要 ： 介绍 了一套基于CCD工艺的模型参数提取用测试 图形 (Testchip)设计方法。该 Testchip的设计充分考虑了CCD工艺特征 、中测测试条件、CCD放大器特性等各种关键 因素，并 在对应的工艺线进行流片，得到了完整的测试数据。 关键词： CCD；模型参数提取 ；测试图形 中图分类号 ：TN386．5 文献标识码：A 文章编号：1001--5868(2011)04--0492--03 DesignofTestchip forM odelParameterExtractionBasedonCCD Process ZHU Xiaoxiao，SHINian，YANG Hong，W ENG Xuetao (ChongqingOptoelectronicsResearch Institute，Chongqing400060，CHN) Abstract： A design method oftestchip formodelparameter extraction based on CCD processispresented．In thismethod，factorssuch astestconditions，andcharactersofCCD technologyandCCD on—chip amplifierareconsidered．Finally，testchipsarefabricated in the correspondingprocessingline，andfulltestingdataaboutthechipsareacquired． Keywords： CCD；modelparameterextraction；testchip 0 引言 限度地突出这些效应 ，从而方便参数的提取 。 CCD工艺和标准 CMOS工艺存在很大差异 ， 模型参数提取的任务是从一组器件测量特性曲 基于CCD工艺的模型参数提取测试图形的设计要 线中得到与器件模型相对应的一套器件模型参数 考虑以下几个方面 ：MOS管类型 ，器件版 图结构， 值 。具体办法是 ，先给出一组模型参数初始值 ，代人 CCD放大器结构 ，中测条件等。 器件模型公式得到一组模拟结果 ；然后 比较模拟结 本文在考虑 了以上 因素的基础上 ，确定测试图 果(模拟曲线)与测量特性(测试 曲线)是否一致(曲 形结构类型，设计各类结构的尺寸参数，最后进行版 线是否重合)，如两者不一致 (曲线不重合)，则继续 图设计，并基于相应的工艺线进行流片，得到含有待 修改相关参数值，直到模拟曲线和测试 曲线能很好 测器件的晶圆(TESTCHIP)。最终在 中测得到完 地拟合。拟合程度越高，模型准确度越高。因此测 整的测试数据，为模型参数提取提供数据支持。 试特性曲线的获取是模型参数提取任务中的重要步 骤 。 1 CCD放大器仿真模型研究 要获取完整的测量数据需要有一套完整的测试 1．1 BSIM3V3模型简述 结构 。理论上一套优秀的提模测试结