基于ccd工艺提取mos模型的电路验证 circuit verification of mos model extraction based on ccd process.pdfVIP

《半导体光 电~2012年 4月第 33卷第 2期 吕玉冰 等 ： 基于CCD工艺提取 MOS模型的电路验证 基于CCD工艺提取 MOS模型的电路验证 吕玉冰，祝晓笑，翁雪涛，岳志强，苏玉棉 (重庆光电技术研 究所 ，重庆 400060) 摘 要 ： 对基于CCD工艺提取的BSIM3v3模型，在 CCD 片上放大器电路上进行 了验证，通 过在直流、瞬态和交流条件 下对比电路的仿真数据和 实际测试数据 ，验证 了该模 型，即提取 的模型 能够满足 电路模拟的要求。 关键词： CCD；模型参数提取；验证 中图分类号：TN386．5 文献标识码 ：A 文章编号 ：1001—5868(2012)02—0221—04 CircuitVerificationofMOSM odelExtractionBasedon CCD Process LV Yubing，ZHU Xiaoxiao，W ENG Xuetao，YUE Zhiqiang，SU Yumian (ChongqingOptoelectronicsResearchInstitute，Chongqing400060，CHN) Abstract： Inthispaper，averificationprocesstocircuitofBSIM 3v3modelextractionbased onCCD processispresented．Intheverification process，thesimulation dataandthetestdata werecomparedwithCCD on-chipamplifierunderDC，transientandAC conditions．Theresults provethattheextractedBSIM 33modelcanmeettherequirementofcircuitsimulation． Keywords： CCD；modelparameterextraction；verification 0 引言 直流、瞬态和交流条件下的仿真数据和实际测试数 据进行了验证。 器件模 型是工艺和电路设计之间的桥梁 ，它反 映了工艺线状态 ，也为电路设计提供需要 的模型。 CCD放大器模型研究 因此，模型参数提取任务对于工艺线和设计模拟都 1．1 BSIM3v3模型简述 很重要 。模型参数提取任务是从一组器件测量特性 BSIM3v3 (BSIM ，Berkeley Short channel 曲线中得到与器件模型相对应的一套器件模型参数 InsulatedgatefieldeffecttransistorMode1)器件模 值，为了验证这一套器件模型参数值是否准确，需要 型是加州大学伯克利分校建立的器件模型，它考虑 进行验证 ，只有验证过后的器件模型参数值 ，在 电路 了很多器件尺寸和工艺变化效应 (包括短沟道 、窄沟 仿真设计中得到的结果 ，才是可信的_．】]。 道效应和高 (电)场效应)，具有很好的灵活性和预测 模型验证的具体办法是在器件组成的放大器电 性，能很好地描述器件性能 ，为电路设计建立基础 ， 路上，进行直流、瞬态和交流条件下的测试 。该放大 从而在 1996年被 ComvactModelCounci