半导体评论摘要.docVIP

第二章 例题 1． 使用共价键模型，形象而简单地说明半导体的（1）失去原子；（2）电子（3）空穴；（4）施主；（5）受主 例题2． 使用能带模型，形象而简单地说明半导体的： （1）电子；（2）空穴；（3）施主；（4）受主； （5）温度趋于0K时，施主对多数载流子电子的冻结； （6）温度趋于0K时，受主对多数载流子空穴的冻结； （7）在不同能带上载流子的能量分布 （8）本征半导体；（9）n型半导体； （10）P型半导体；（11）非间并半导体； （12）间并半导体 （13）直接带隙半导体； （14）间接带隙半导体； 例题3． GaA的共价键模型如图， （1）图中描述了GaAs中Ga和As原子移动的价键模型， 图中阴影处的Ga和As表示是要移动的原子。提示：当把Ga和As 原子移走时，它们将带走其成键电子 （2）重新画出GaA的共价键模型图，在图中有Si原子代替Ga和As原 子的空位 （3）当Si原子代替Ga原子时，GaAs的掺杂是P型还是n 型，为什么？ （4）当Si原子代替As原子时，GaAs的掺杂是P型还是n 型，为什么？ (5) 画出掺杂GaA的能带图，（a）Ga原子的位置由Si原子取代； （b）As原子的位置由Si原子取代 第三章 例题3 1．有一n型半导体，除施主杂质浓度ND外，还含有少量的受主，其浓度为NA，求弱电离情况下电子浓度的表达式 例题4 两块半导体材料A与B除了禁带宽度不同，其他参数完全相同。A的禁带宽度为1.0eV，B的禁带宽度为1.2eV。求T＝300K时两种材料的n的比值。 例5 制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。 （1）设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300K时的EF位于导带下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。 （2）设n型外延层杂质均匀分布，杂质浓度为4.6′1015cm-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。 （3）在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2′1015cm-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。 （4）如温度升到500K，计算③中电子和空穴的浓度（500K本征载流子浓度ni=4 ′1014cm-3 ）。 第四章 例题1 一块杂质补偿半导体中，受主杂质和施主杂质的浓度恰好相等。设杂质全部电离。求T＝300K时硅的电导率，杂质浓度分别为 （a） (b) 例2 特定半导体内存在三种散射机制。只存在一种散射机制时的迁移率为 ，只存在第二种散射机制时的迁移为 ，只存在第三种散射机制时的迁移率为 . 求总迁移率。 霍尔效应 T＝300K时，硅霍尔器件的参数如图2所示, 测得： 试确定： 霍尔电压 导电类型 多数载流子浓度 多数载流子迁移率