基于分子模拟技术的极端高温条件下材料介电性能的初步研究 research on dielectric properties at ultra-high temperature based on molecular simulation technique.pdfVIP

2006年4月 电工技术学报 V01．21NO．4 第21卷第4期 TRANSACTIoNSOFCHINAELECTROTECHNICALSOCIETY ADr． 2006 基于分子模拟技术的极端高温条件下 材料介电性能的初步研究 成永红谢小军 陈小林 崔 浩 冯武彤 赵磊 (西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室 西安 710049) 摘要 介绍了分子模拟技术及其数学基础和常用的分子模拟软件，然后以氧化硅晶体为例介 绍了分子模拟的计算方法，研究7氧化硅材料极端高温下的夼电性能，分析了分子模拟的计算结 果。结果显示分子模拟技术在研究材料夼电性能方面是可行的，表明该方法是一个有着巨大潜力 的研究领域。 关键词：分子模拟 极端高温 介电性能 中图分类号：TM21 ResearchonDielectric at Basedon P