试验十一半导体雷射试验-成大物理系.DOC

半導體雷射實驗報告 組別：第六組 組員名單：張中懷 E-mail：zx.tw 林宗賢 E-mail：baddboyy@.tw 林宏益 E-mail：n2689198@.tw 實驗日期：民國九十年三月二日 實驗十一 半導體雷射實驗 實驗目的 瞭解半導體雷射（Laser diode, LD , Semiconductor Laser）的基本特性 熟悉半導體雷射的光輸出特性 實驗內容 架設簡單的半導體雷射系統，量測LD的P-I curve (P: output power；input current) 觀察半導體雷射輸出光斑之形狀 對半導體雷射輸出做準直調整 觀察半導體雷射輸出的偏振特性 實驗器材 LD TE cooler Temperature controller Current source Power meter CCD imager Collimating lenses 50/50 beam splitter 實驗步驟 檢查雷射的基本規格，確定工作電壓範圍 把LD放入銅片中，在銅片上銲上熱電阻接回TE controller 量測電阻值可得目前系統的工作溫度。為了控制系統的溫度在一定值，在銅片上裝上TE cooler，由Temperature controller控制加在TE cooler上的電壓，將銅片的溫度控制在所需要的值。 調整輸入電流大小，利用Power meter量測LD所發出的光強度。 同時利用CCD imager觀察記錄半導體雷射的輸出光斑形狀，利用距離移動逆推估算並記錄其水平與垂直張角 畫出LD的P-I curve。（注意要調整Power meter的波長到LD所放出的波長） 估算LD的連界電流（threshold current） 利用Polarizer量測記錄LD的輸出之偏振特性 在LD之後架上準直鏡組，使LD發出的光線打入後平行射出。 半導體雷射準直後，使用50/50 beam splitter把光一半反射回半導體雷射，估算此時LD發光之臨界電流（threshold current） 調整溫度觀察特性是否改變 實驗注意事項 半導體雷射波長分佈與pumping current及溫度有關。（溫控對半導體雷射很重要）。 在半導體雷射中，電子躍升是在價帶（valence band）與導帶（conduction band）之間。利用電流pumping，產生population inversion，接著半導體內的電子與電洞結合輻射出光子，此光子在recombination region射出，而其Laser輸出的cross section一般為一橢圓。 由於熱對半導體也有很大的影響，因此Laser diode若要產生穩定的光，必須要控制溫度，也就是其在定溫下工作。因此需外接一Temperature controller來控制Laser Diode的溫度。 六、實驗進行與結果討論 實驗一：半導體雷射P-I curve與臨界電流的量測與討論 實驗二：Beam splitter 分光鏡反射半導體雷射P-I curve與臨界電流的量測與討論 數據一，實驗一與實驗二圖形 注意，power meter應與雷射半導體盡量接近，使得偵測的強度達到最標準。 實驗三：Polizer半導體雷射的偏振特性 我們固定電流和溫度控制在24度，調整Polizer的角度，量測每一個角度的光強，我們的到了以下的數據與圖形： 數據二與圖形 實驗討論： 由圖可之，最強與最弱的強度相差九十度，且強度為，雖不理想，但可推論為線偏振。 注意，一樣要使power meter 盡量接近Laser，但因為中間隔了檢偏器，所以就盡量接近即可。 實驗四：量測半導體雷射的水平與垂直張角與CCD觀察光斑的量測與討論 我們使用CCD來看光班，在螢幕上只看到一團黑白色的相間隔的條紋，成同心圓形狀交錯在螢幕上，因為這個半導體雷射使為邊緣發光，水平發散角度較大，垂直發散角度較小，CCD沒有辦法接收到完全的水平張角，故只能看出部分條紋，沒有辦法全部瀏覽出整個光斑的形狀，我們使用卡片，在一定距離，定電流的情況下，量測輸出波形的X軸與Y軸的上下高度，再求出水平張角與垂直張角。如下圖所示： 7.5 cm 24.6 cm 水平到量測距離為13.5 cm 故水平張角為 垂直張角為 七、問題與討論： 溫度改變與臨界電流改變的討論 在半導體雷射二極體，往活性層之載流子注入電流與雷射光能量的關係稱為雷