基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性 fabrication and storage characteristics of si-nanocrystal nonvolatile memories.pdfVIP

样撇斗砸撼件：l 徐 1．06．002 DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．201 基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性 杨潇楠1’2，王永1’2，张满红1，张博2，刘明1 (1．中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室，北京100029； 2．上海宏力半导体制造有限公司，上海201203) 摘要：硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性，近来引起高 度关注。采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si—NC)，该方法所制 备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点，且完全兼容于传统CMOS工艺。在此基础上制作四 端硅纳米晶非挥发存储器，该器件展示出良好的存储特性，包括10V操作电压下快速地擦写，数 据保持特性的显著提高，以及在105次擦写周期以后阈值电压(K)飘移低于10％的良好耐受 性。该