覆锇膜阴极表面同步辐射光电子谱研究Studyon-电子与信息学报.PDF

第33 卷第12 期 电 子 与 信 息 学 报 Vol.33No.12 2011 年12 月 Journal of Electronics Information Technology Dec. 2011 覆锇膜阴极表面同步辐射光电子谱研究 阴生毅*① 张洪来① 杨靖鑫①② 奎热西③ 钱海杰③ 王嘉欧③ 王 宇① 王欣欣① ①(中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室 北京 100190) ②(中国科学院研究生院 北京 100039) ③(中国科学院高能物理研究所 北京 100049) 摘 要：为何浸渍阴极表面覆一层高功函数的锇(Os)膜后发射能力可以显著增加？这是一个长期未搞清的重要问 题。该文在对阴极进行发射性能测试和扫描电镜分析的基础上，利用同步辐射光电子谱装置，对覆钨(W)膜阴极和 覆Os 膜阴极表面的元素成分及化学状态进行了全面系统的研究。结果表明，覆Os 膜阴极的电子发射能力是覆W 膜阴极2.65 倍；与覆W 膜相比，覆Os 膜使阴极表面的钡(Ba)原子和低结合能态的吸附氧(O)原子分别增加了40% 和 56%。进一步分析认为，Os 膜具有易氧化及氧化物易分解的特性，这一特性决定了覆 Os 膜阴极在激活后可以 获得更多的超额钡Ba+(a)，并因此具备更高的电子发射能力。 关键词：浸渍阴极；锇(Os)膜；同步辐射光电子能谱；化学态；超额钡 中图分类号：O462.1 文献标识码： A 文章编号：1009-5896(2011)12-3040-06 DOI: 10.3724/SP.J.1146.2011.00358 Study on Surface of Impregnated Cathodes Coated Os Film by Synchronous Radiation Photoelectron Spectrum ① ① ①② ③ Yin Sheng-yi Zhang Hong-lai Yang Jing-xin Urash Ibrahim ③ ③ ① ① Qian Hai-jie Wang Jia-ou Wang Yu Wang Xin-xin ① (Key Laboratory of High Power Microwave Sources and Technologies, Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ② (Graduate University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, China) ③ (Institute of High Energy Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) Abstract: Why a lay