Si基单片集成850nm光接收芯片研究pdf.PDF

· 光电子 激光 第 卷第 期 年 月 · ２３ ４ ２０１２ ４ Ｖｏｌ．２３Ｎｏ．４ Ａ ｒｉｌ２０１２ 　　　　　　 　 　 ｐ 　 　　　　　　 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＯ ｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌａｓｅｒ 　 　 ｐ 基单片集成 光接收芯片研究 Ｓｉ ８５０ｎｍ ＊ ， ， 颜黄苹 程 翔 黄元庆 　 （ ， ） 厦门大学机电工程系 福建厦门 ３６１００５ ： ， “ ／ ／ ” 摘要 设计并制备了一种 基单片集成 光接收芯片 包括 结构的光电 Ｓｉ ８５０ｎｍ Ｐ＋ Ｎ ＥＰＩ ＢＮ＋ － （ ）、 。 ， 探测器 ＰＤ 跨阻前置放大电路及其后续处理电路 分析了 ＰＤ 的结构 并对其光谱响应及频率 ， ， ／ ， 。 响应进行模拟 在 偏压下 在 的响应度为 截止频率为 采 ２．０ Ｖ ＰＤ ８５０ｎｍ ０．１３１ Ａ Ｗ ４００ ＭＨｚ （ 、 ） ， 。 用０．５ ｍ ＢＣＤ ｂｉｏｌａｒ ＣＭＯＳ和 ＤＭＯＳ 工艺流片 光接收芯片面积约为９００ ｍ×１１００ ｍ 测 μ 　 ｐ μ 　 μ ， ， ／ 。 ／ 试结果表明 暗电流为 量级 响应度为 光接收芯片在 速率及误码率 ＰＤ Ａ ０．１２ Ａ Ｗ １５５ Ｍｂ ｓ ｐ （ ） －９ ， ； ／ －９ ， 小于 情况下 灵敏度为 在 速率及 小于 情况下 灵敏 ＢＥＲ １０ －１２．０ｄＢｍ ６２２ Ｍｂ ｓ ＢＥＲ １０ ， 。 ， 度为－１０．０ｄＢｍ