偏离最佳条件的基于模型的光学邻近效应修正 off-target model-based opc.pdfVIP

制造技术 IC Manufacturing Technology T S 偏离最佳条件的基于模型的光学邻近效应修正 1,2,3 1 1 1 陆梅君 金晓亮 毛智彪 梁强 1.上海宏力半导体制造有限公司 上海201203; 2.中国科学院 上海微系统与信息技术研究所 上海200050; 3.中国科学院 研究生院 北京100039 摘要 提出了一种新型的与制程窗口紧密相关 被称为偏离最佳条件的基于模型的光学邻近效应模 型 该模型包含制程参数变化的信息 该模型引导得到的修正的图形在工艺参数变化时也会表现得非常稳 定 而且相对标准模型而言 缩短了建立模型的周期 节省了光罩出版的时间 关键词 偏离最佳 光学邻近效应 制程窗口 中图分类号 TN305.7文献标识码 A 文章编号 1003-353X(2006)09-0673-03 Off-Target Model-Based OPC 1,2,3 1 1 1 LU Mei-jun, JIN Xiao-liang, MAO Zhi-biao, LIANG Qiang 1.Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai201203, China2 200050,China;3.Graduate School of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, China Abstract Key words 设计布局的制程窗口就要布局中所有的图形都要满 1 引言 足条件 基于模型的光学邻近效应修正就是要把 一般建立光学邻近效应模型总是在最佳的曝光 光学和其他制作流程的影响都考虑进来 修正设计 能量和聚焦平面的条件下收集实验数据 所谓的最 布局使其中所有的关键尺寸都能够满足生产要求 佳条件与Bossung曲线有关 最佳的聚焦平面是指 既然传统意义的光学邻近效应模型只有最佳工艺条件 最小的 [CD]/[focus]微分数值 而最佳的曝光 的实验数据 当条件发生变化时 模型就不能做出 能量就是在选定的最佳聚焦平面上能够得到最接近目 准确的预测 这时如果产品的设计布局对于工艺条 标尺寸的能量值 用这样的实验条件下建立的模型 件很敏感的话 即使建立的模型很准确 也很难运 来修正设计布局 只能保证在最佳条件时的准确 用于大量的生产制造 因为生产中的工艺参数总会 性 但当条件有变化时 就无法给出较好的预测 有一定的波动 光学邻近效应修正的目的是尽可能 关于光刻制程的工作窗口 我们通常的说法是 减少图形线边位置误差 EPE这样做可能会影 某单一图形能够达到预定目标值的 10%曝光能 响布局的图形的制程窗口 本文中用线端作为例子 量和聚焦平