- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
化学气相淀积CVD
化学气相淀积与薄膜工艺
Chemical Vapor Deposition
Thin Film Technology
孟广耀
Tel:3603234 Fax:3607627
mgym@
中国科学技术大学材料科学与工程系
固体化学与无机膜研究所
http://3/
PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version
Ch.1 论;化学气相淀积(CVD)
- 一个重要的科学技术领域
1 1 化学气相淀积(CVD):
概念、定义及其基本特点
1 2 学科与技术范围
1 3 CVD与新材料
1 4 CVD 与高新技术
1 5 本课程的内容
1 6 主要参考
1 7 教学方式与考核
PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version
1 1 化学气相淀积(CVD):
概念、定义及其基本特点
定义:CVD是通过气态物质在气相或气/ 固界面上发生反
应生成固态材料的过程
突出的特点-
★原子、分子水平上化学合成材料- 高度适应性和创新性
★ 高纯度材料- 基于CVD源可以通过气相过程得到高纯度
★组成和结构可控性- 制备工艺重现性
★广泛的适应性与多用性
★材料制备与器件制作的一致性
★设备较简单、操作简易、易于实现文集自动控制…
PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version
SiHCl3+H2=Si+3HCl 热交换器 (预冷却)
载体 废气待回
炉体
尾气回 器
侧H2
主H
2
挥发器 喷口
气液分离器
高纯H2
精馏过的
SiHCl (SiCl )
3 4
图1-1 氯硅烷氢还原法生产
多晶硅装置简图[172]
PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version
前驱物/源 挥发 薄膜生长 纳米粉制备
前驱物/源 挥发 薄膜生长 纳米粉制备
相
文档评论(0)